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1、高密度封裝一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)是高密度多層互連基板的制造。低溫共燒陶瓷(lowtemperatureco—firedceramic,LTCC)多層基板技術(shù)以其先天的優(yōu)勢(shì)從眾多的多芯片組件技術(shù)中脫穎而出。它具有封裝密度高、可埋置無(wú)源器件、射頻特性好、可靠性高、共燒溫度低、一次燒結(jié)成品率高等一系列的優(yōu)點(diǎn),是一種減小系統(tǒng)體積和重量、提高系統(tǒng)性能的有效途徑。本文主要對(duì)基于LICC技術(shù)的微波傳輸線進(jìn)行了研究。在對(duì)傳輸線基本的π模型和T模型理論分析的基礎(chǔ)
2、上,對(duì)兩種模型進(jìn)行了改進(jìn)。采用Agilent公司的ADS軟件,分別對(duì)基本模型、改進(jìn)模型以及無(wú)耗傳輸線的散射特性進(jìn)行了仿真,并對(duì)仿真曲線進(jìn)行了比較。從仿真結(jié)果可以看出,改進(jìn)π模型比基本π模型在曲線的形狀上更為接近無(wú)耗傳輸線,但是曲線的吻合程度提高不大;而改進(jìn)T模型獲得了較為理想的結(jié)果,該模型在電長(zhǎng)度為0~π的范圍內(nèi),可得到與無(wú)耗傳輸線相一致的特性曲線;然后,對(duì)不同特性阻抗的無(wú)耗傳輸線的散射特性進(jìn)行了仿真分析,并與改進(jìn)的T模型的仿真結(jié)果進(jìn)行
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