基于NPB-Zn(4-TfmBTZ)-,2-界面發(fā)光的有機(jī)電致白光器件.pdf

1、近年來(lái)，白光OLED(white organic light-emitting diode，WOLED)作為一種新型的顯示技術(shù)和固態(tài)光源，由于其本身的制作成本低、響應(yīng)時(shí)間短、發(fā)光亮度高、寬視角、低驅(qū)動(dòng)電壓等特點(diǎn)已經(jīng)吸引了人們?cè)絹?lái)越多的注意。為了簡(jiǎn)化WOLED器件的制備工藝，利用激基復(fù)合物/電致激基復(fù)合物發(fā)光來(lái)調(diào)制發(fā)光光譜是得到高色純度白光器件的一個(gè)重要方法。但是激基復(fù)合物發(fā)光一般效率較低，色度不穩(wěn)定。本文利用課題組自主研發(fā)的藍(lán)光材料二(

2、2-(4-三氟甲基-2-羥基苯基)苯并噻唑鋅(Zn(4-TfmBTZ)2)和傳統(tǒng)的具有空穴傳輸性能的藍(lán)光材料NPB，制作了基于NPB/Zn(4-TfmBTZ)2 界面激基復(fù)合物、電致激基復(fù)合物的有機(jī)電致白光器件，并從器件結(jié)構(gòu)出發(fā)，對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化。
　　 首先，我們研究了NPB 與Zn(4-TfmBTZ)2 厚度對(duì)器件性能的影響。
　　 制作了Zn(4-TfmBTZ)2 厚度為50nm，NPB 厚度分別為20nm，40

3、nm，50nm，70nm 以及NPB 厚度為40nm，Zn(4-TfmBTZ)2 厚度分別為20nm，30nm，40nm的兩組結(jié)構(gòu)為ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2/LiF/Al的雙層EL 器件。
　　 發(fā)現(xiàn)：NPB 厚度為40nm，Zn(4-TfmBTZ)2 厚度為30nm時(shí)的器件性能最佳，其最大亮度為391cd/m2，最大效率為0.64cd/A，最佳色坐標(biāo)為(0.27,0.32)，最高顯色指數(shù)為83.6。
　

4、　 其次，我們研究了在Zn(4-TfmBTZ)2 層中摻雜NPB對(duì)器件性能的影響。分別以濃度為0[％]，2.5[％]，5[％]，10[％]，20[％]的NPB 摻入到Zn(4-TfmBTZ)2 層中，制作了結(jié)構(gòu)為：ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2:NPB/LiF/Al的雙層EL 器件。發(fā)現(xiàn)NPB 摻雜濃度高的器件激基復(fù)合物發(fā)光較強(qiáng)，摻雜濃度為5[％]的器件性能最佳，其最大亮度為683cd/m2，最大效率為0.87cd/A，最

5、佳色坐標(biāo)為(0.31,0.35)，最高顯色指數(shù)為91.2。
　　 然后，我們將Alq3 作為電子傳輸層引入器件，制作了結(jié)構(gòu)為：ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2/Alq3/LiF/Al的三層EL 器件，分別測(cè)試了Alq3 厚度為10nm，20nm，30nm，40nm時(shí)的器件性能。發(fā)現(xiàn)當(dāng)Alq3 厚度為30nm時(shí)器件性能最優(yōu)，其最大亮度為2445cd/m2，最大效率為1.39cd/A，最佳色坐標(biāo)為(0.31,0.35)，最

6、高顯色指數(shù)為88.2。
　　 最后，我們制作了異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)器件，其結(jié)構(gòu)為：ITO/NPB/Zn(4-TfmBTZ)2(3.0nm)/NPB(4.0nm)/Zn(4-TfmBTZ)2/Alq3/LiF/Al，通過(guò)調(diào)節(jié)NPB層的厚度，得到了高色純度，高亮度且色度穩(wěn)定的有機(jī)電致白光器件。其最大亮度為2013cd/m2，最大效率為1.03cd/A，最佳色坐標(biāo)為(0.324，0.337)，接近白光等能點(diǎn)(0.33,0.33)，最高顯色