射頻磁控測(cè)射法制備Ag-WO3復(fù)合薄膜及電致變色性能的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、WO3薄膜是發(fā)現(xiàn)最早,研究最為深入的無(wú)機(jī)電致變色(Electrochromism)材料,在智能窗、顯示器件、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域具有非常好的應(yīng)用前景。為了能夠應(yīng)用于實(shí)際,需要進(jìn)一步提高其電致變色性能。因此,提高WO3薄膜的調(diào)光性,延長(zhǎng)循環(huán)壽命,縮短響應(yīng)時(shí)間,制備電致變色性能優(yōu)異的WO3薄膜,已成為光化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域的前沿研究課題。
   本論文采用射頻磁控共濺射法分別在Si片、ITO玻璃基底上制備一系列不同Ag組分含量(3.0~

2、12.0Vol.%)的Ag-WO3顆粒復(fù)合薄膜,同時(shí)沉積純WO3薄膜作為對(duì)比。利用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線光電子能譜儀(XPS)、紫外可見分光光度計(jì)(UV-Vis)、橢圓偏振光譜儀(SE)、電化學(xué)工作站等測(cè)試儀器分別對(duì)所制備薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌、組分、光學(xué)性能及電致變色等性能進(jìn)行表征,研究Ag組分含量與濺射時(shí)間對(duì)薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌、組分、光學(xué)性能與電致變色性能的影響。
   結(jié)果表明:室溫下

3、沉積的薄膜均無(wú)定形態(tài),當(dāng)金屬Ag鑲嵌于WO3基中,結(jié)構(gòu)由四方相結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕啵⑶译S著Ag組分含量的增加,復(fù)合薄膜的生長(zhǎng)擇優(yōu)取向發(fā)生改變,薄膜中的Ag組分主要以Ag單質(zhì)的形式存在。隨著Ag含量的增加,薄膜變色所需的電壓下降,響應(yīng)時(shí)間減少,薄膜電極的反應(yīng)速度提高,該結(jié)果歸因于復(fù)合薄膜的載流子濃度隨Ag含量的增大而增多。然而,薄膜的循環(huán)性能隨著Ag含量的增加而下降,這主要是由于在氧化還原過程中復(fù)合薄膜中的Ag組分與注入薄膜中的Li﹢離子發(fā)

4、生相互作用,阻礙了Li﹢離子從著色后的薄膜中抽出,使得薄膜的褪色性能下降。
   為了提高Ag-WO3復(fù)合薄膜的循環(huán)性能,在不同的濺射時(shí)間下制備6.0Vol.%Ag-WO3薄膜,研究濺射時(shí)間對(duì)該復(fù)合薄膜電致變色性能的影響。分析結(jié)果表明,在不同的濺射時(shí)間下制備的復(fù)合薄膜均為單斜相結(jié)構(gòu),并沿著晶面指數(shù)(110)方向擇優(yōu)生長(zhǎng),在濺射時(shí)間為30min的條件下,復(fù)合薄膜的循環(huán)性能明顯提高,并且薄膜的調(diào)光度達(dá)到46.3%,響應(yīng)時(shí)間為3.5s

5、,這是由于該條件下制備的薄膜表面疏松多孔,有利于Li﹢離子的注入/抽出,從而實(shí)現(xiàn)良好的變色可逆性。
   本文的創(chuàng)新點(diǎn):
   ①首次采用射頻磁控共濺射法將金屬Ag鑲嵌在WO3基中,研究Ag-WO3顆粒復(fù)合薄膜的電致變色性能。
   ②通過研究濺射時(shí)間對(duì)復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)、表面形貌及電致變色性能的影響,獲得了最佳的濺射時(shí)間,提高了復(fù)合薄膜的循環(huán)性能。
   ③通過對(duì)純WO3薄膜與Ag-WO3復(fù)合薄膜的電致變色

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