釩酸銀負(fù)載稀土元素薄膜的制備及其光催化活性研究.pdf

1、近年，隨著水環(huán)境中的有機(jī)物污染日益加劇，半導(dǎo)體光催化技術(shù)作為最有前景的方法之一，受到越來越多的科研工作者的青睞。目前，TiO2是最為常見的半導(dǎo)體光催化劑，但其相對較大的禁帶寬度(3.2eV)，使得它不能利用太陽光中占很大比例的可見光。因此，開發(fā)新型的可見光型催化劑就成為當(dāng)今光催化領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
　　 本文采用水熱法制備釩酸銀(Ag3VO4)顆粒，在此基礎(chǔ)上，采用浸漬法合成了負(fù)載稀土金屬(Nd，Ce)的Ag3VO4光催化粉體材料。利

2、用手術(shù)刀刮涂法在FTO基底上得到Ag3VO4負(fù)載稀土金屬(Nd，Ce)薄膜，以解決Ag3VO4粉體在水體系中難分離、回收的問題。同時，為了增加薄膜的粘附性，本文研究了PEG的添加問題。通過SEM，EDS，XRD，XPS及UV-vis吸收光譜等分析方法對Ag3VO4薄膜負(fù)載Nd、Ce前后進(jìn)行表征。光催化降解實(shí)驗(yàn)以羅丹明B(RhB)作降解底物，并在可見光照射下，分別研究了Nd和Ce負(fù)載質(zhì)量比對光催化降解活性的影響，而且研究了煅燒溫度對Ag3

3、VO4負(fù)載Ce薄膜的影響。結(jié)果表明:
　　 水熱制備Ag3VO4的過程中，水熱時間的增加有利于單一的單斜晶Ag3VO4相的生成，且水熱時間為6h，出現(xiàn)單一的單斜晶Ag3VO4相。通過實(shí)驗(yàn)證實(shí)了PEG雖然增加薄膜的粘性，但會影響Ag3VO4薄膜光催化性能，制膜過程不適合添加PEG。Nd的負(fù)載量對Ag3VO4負(fù)載Nd薄膜的光催化性能影響很大，其最佳負(fù)載量為2wt％。
　　 Ag3VO4負(fù)載Ce薄膜中Ce以Ce3+和Ce4+兩