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文檔簡(jiǎn)介
1、本文簡(jiǎn)述了光致發(fā)光的基本原理,闡述了稀土發(fā)光材料的特點(diǎn)、發(fā)光原理和制備方法,并簡(jiǎn)單介紹了稀土發(fā)光材料的研究進(jìn)展和應(yīng)用。
采用沉淀法合成了Y1-x-yVO4:Eux3+,Biy3+(x=0.03,0.06,0.12,0.15;y=0.03,0.05,0.06,0.09,0.12,0.15)熒光粉,利用XRD,SEM和TEM對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行分析,并用熒光光譜儀測(cè)試了樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜,討論了摻雜濃度的改變對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生的影
2、響。X射線衍射圖分析表明所制得的熒光粉與YV04的物相一致,樣品屬于體心四方相;其掃描電鏡和透射電鏡照片顯示顆粒為紡錘形,大小比較均勻,長(zhǎng)徑為250nm左右,短徑為100nm左右,為多晶。YVO4:Eu3+,Bi3+熒光粉測(cè)得激發(fā)光譜的有兩個(gè)激發(fā)帶:在225~360nm左右的寬帶,對(duì)應(yīng)著VO43-中的O2-到中心離子V3+的電荷遷移帶:位于370~420nm之間的窄激發(fā)帶,歸屬于Eu3+的4f6組態(tài)內(nèi)層電子的4f-4f躍遷吸,隨著Eu3
3、+和Bi3+摻雜濃度的增加,激發(fā)峰強(qiáng)度增強(qiáng)。YVO4:Eu3+,Bi3+熒光粉的發(fā)射光譜主峰峰分別歸屬于Eu3+的5D0→7F1(596nm),5D0→7F2(617nm,621nm)輻射躍遷。最強(qiáng)發(fā)射位于617nm左右,屬于紅光。研究了Eu3+濃度對(duì)樣品發(fā)光強(qiáng)度的影響。隨著Eu3+的濃度從3(mol)%增加到12(mol)%,YVO4:Eux,Bi0.05粉體中Eu3+的發(fā)光強(qiáng)度先增強(qiáng),當(dāng)Eu3+摻雜濃度12(mol)%時(shí)發(fā)光強(qiáng)度最大
4、;Eu3+的濃度繼續(xù)升高,Eu3+的發(fā)射強(qiáng)度反而降低,出現(xiàn)了濃度猝滅現(xiàn)象。Bi3+對(duì)Eu3+的發(fā)光有一定的敏化作用,當(dāng)Bi3+濃度達(dá)到5(mol)%時(shí),敏化作用最強(qiáng)。
采用沉淀法合成了Y1-xVO4:Tbx3+(x=0.03,0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,0.21)熒光粉,利用XRD和SEM對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行分析,并用熒光光譜儀測(cè)試了樣品的激發(fā)和發(fā)射光譜,討論了摻雜濃度的改變對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生的影響。X射線
5、衍射圖譜分析表明所制得的熒光粉屬于體心四方相,與YVO4的物相一致;從掃描電鏡照片可以看出粉體顆粒比較均勻,為紡錘形,長(zhǎng)徑為200nm左右,短徑為100nm左右。YVO4:Tb3+熒光粉熒光粉激發(fā)光譜的激發(fā)峰由300~350nm的激發(fā)帶和350~450nm的激發(fā)帶組成的。前者是VO43-中的O2-到中心離子V5+的電荷遷移帶;后者對(duì)應(yīng)著Tb3+的4fB→4f75d1允許躍遷的激發(fā)帶。Tb3+摻雜濃度的增加使激發(fā)峰強(qiáng)度先增強(qiáng)后減弱。YVO
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