同步整流優(yōu)化PSM電路及其可靠性設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,電子產(chǎn)品市場增長仍然迅猛,信息技術(shù)發(fā)展仍然方興未艾,技術(shù)創(chuàng)新的動力和活力依然充足,藉于此,功率集成電路也得以迅速發(fā)展。另外,由于如今電子產(chǎn)品的系統(tǒng)設(shè)計越來越復(fù)雜,功能日益強大,例如,手機可以同時具備PDA、數(shù)碼相機、MP3播放器和其他功能。所以在電子產(chǎn)品工作工程中,功率變化所引起的瞬態(tài)響應(yīng)沖擊越來越來越嚴(yán)重,因為功率變化過程中的所帶來的大電流或大電壓,勢必會對系統(tǒng)造成一定的干擾;再加上系統(tǒng)頻繁工作過程中的熱效應(yīng)等問題,功率集成電

2、路的可靠性越來越引起人們的重視。本文的研究的重點是功率集成電路的可靠性分析及設(shè)計,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計一款基本 BOOST控制拓撲PSM調(diào)制技術(shù)的功率集成電路芯片,該芯片可實現(xiàn)4~4.5V到5V的升壓,在輕負載的情況下實現(xiàn)80%以上的轉(zhuǎn)換效率,并具備過壓、過溫、過流、軟啟動等可靠性設(shè)計。
  本文研究思路如下:
  第一章首先介紹了功率集成電路的可靠性設(shè)計基于電源設(shè)計的重要意義,并對功率集成電路的的各種常用拓撲及調(diào)制技術(shù)進行了概

3、述。
  第二章對功率集成電路工作過程中各種異常情況進行展開分析,并總結(jié)目前常用于功率集成電路的各類保護結(jié)構(gòu)。
  第三章完成了一款基于P阱N襯底的3um CMOS工藝的芯片設(shè)計,該芯片基于PSM調(diào)制方式,可應(yīng)用與BOOST拓撲。該部分分別介紹了芯片的控制策略、狀態(tài)轉(zhuǎn)換以及可靠性技術(shù)在該芯片中的具體應(yīng)用;另外還對芯片中的一些重要子電路進行了介紹,并給出了仿真結(jié)果。
  第四章和第五章給出了本文所設(shè)計芯片的整體仿真、版圖

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