納米半導(dǎo)體材料的配位—均勻沉淀法合成.pdf

1、本論文以納米材料的研究為背景，以半導(dǎo)體納米材料的制備為重點(diǎn)，介紹了相關(guān)納米材料領(lǐng)域中的研究進(jìn)展和我們的研究工作成果。實(shí)驗(yàn)采用配位—均勻沉淀法，制備了一系列新穎的半導(dǎo)體納米材料。本論文主要由以下三個(gè)方面組成：
　　 1. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 納米帶。將Cd(OH)2 納米帶在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 半導(dǎo)體納米材料。通過(guò)X 射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）、透射電鏡（TEM

2、）、電子選區(qū)衍射（SAED）、紫外—可見光譜（UV-Vis）、熱重分析（TG/DTA）等手段對(duì)得到的納米帶進(jìn)行了表征。研究了反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、氨水濃度和不同陰離子對(duì)Cd(OH)2 形貌的影響。并初步探討了Cd(OH)2 納米帶的形成過(guò)程。
　　 2. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 超長(zhǎng)納米線。將Cd(OH)2納米線在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 納米線材料。采用X 射線衍射（XRD）、掃描

3、電鏡（SEM）、透射電鏡（TEM）、元素分析（EDS）、紫外—可見光譜（UV-Vis）等對(duì)產(chǎn)物的組成、結(jié)構(gòu)、形態(tài)、光學(xué)性能進(jìn)行了表征，并探討了反應(yīng)溫度、氨水濃度、硝酸銀用量、煅燒溫度等條件對(duì)產(chǎn)物形貌的影響。反應(yīng)體系中Ag+的引入對(duì)一維納米材料的生長(zhǎng)有一定的導(dǎo)向作用。
　　 3. 采用配位—均勻沉淀法，制備了具有光催化活性的超細(xì)納米ZnO 粉體，并利用透射電鏡（TEM）、X 射線衍射（XRD）、Zeta 電位和紫外—可見光譜（UV