摻雜和燒結溫度對低壓ZnO壓敏陶瓷微結構和電性能的影響.pdf

1、本文利用正電子壽命譜儀和雙高純鍺探頭-二維多道符合技術正電子湮沒輻射多普勒展寬裝置，研究了不同摻雜ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3系和ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3-Nb2O5系壓敏陶瓷分別經不同溫度（1100℃和1250℃）燒結后微觀缺陷和3d電子的變化，討論了摻雜和燒結溫度對其電性能的影響，得到如下結果：
　　 （1）測量1100℃和1250℃燒結的ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2

2、-Co2O3系和ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3-Nb2O5系壓敏陶瓷的電性能發(fā)現，經1250℃燒結的樣品，其壓敏電壓總體比較低，漏電流總體較小。1250℃燒結的樣品的符合正電子多普勒展寬商譜的譜峰比1100℃燒結的樣品高，前者的平均正電子壽命比后者的小。
　　 （2）以半導化的ZnO-TiO2對ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3-Nb2O5摻雜經1250℃燒結的壓敏陶瓷，其壓敏電壓較低（V1m

3、A=17V）、漏電流較?。↖L=38μA），非線性系數較大（α=13）。其符合正電子湮沒多普勒展寬商譜的譜峰最低，正電子平均壽命最長。
　　 （3）以半導化的ZnO對ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3-Nb2O5摻雜經1250℃燒結的壓敏陶瓷，其非線性系數較大（α=16）。樣品的符合正電子湮沒多普勒展寬商譜的譜峰最高，正電子湮沒的平均壽命最小。
　　 （4）以半導化的 ZnO-Nb2O5和 ZnO-Cr2

4、O3對ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3-Nb2O5分別摻雜經1250℃燒結的壓敏陶瓷，其漏電流較高。樣品的符合正電子多普勒展寬商譜的譜峰和正電子湮沒平均壽命居中。
　　 （5）以半導化的ZnO-TiO2、 ZnO-ZnO、ZnO-Nb2O5、和ZnO-Cr2O3分別摻雜的ZnO-Bi2O3-TiO2-MnO2-Co2O3壓敏陶瓷經不同溫度（1100℃和1250℃）燒結所引起的微結構變化的對其電性能有很大的影響。