基于絡(luò)合物薄膜的電存儲器件及單面納米結(jié)構(gòu)金膜的研究.pdf

1、本論文由如下兩部分組成。
　　 基于絡(luò)合物薄膜的電存儲器件
　　 隨著存儲技術(shù)的不斷發(fā)展進步,許多新型的電存儲材料和相關(guān)制備工藝被研究出來。
　　 在本論文中,我們使用固-液界面反應(yīng)方法制備電存儲器件介質(zhì)層薄膜。利用DMMM-Na/H2O溶液或者KSCN/CH3CH2OH溶液與Cu反應(yīng),得到DMMM-Cu或者CuSCN介質(zhì)層薄膜,在薄膜的兩面制作垂直交叉布線的Cu、Al金屬電極,得到的器件具有一次寫入多次讀取的電

2、存儲特性。
　　 通過對工藝參數(shù)的篩選,可以使制備得到的Al/DMMM-Cu/Cu器件具有90％以上的成品率,其高、低阻態(tài)狀態(tài)比達107。而Cu/CuSCN/Al器件除了上述優(yōu)點外,還具有較為一致的閾值電壓,當參與固-液界面反應(yīng)的銅膜厚度為25nm時,90％以上器件的閾值電壓分布在3.75±0.25V的范圍內(nèi)。
　　 單面納米結(jié)構(gòu)金膜的制備
　　 隨著納米材料科學的不斷深入發(fā)展,納米結(jié)構(gòu)金膜以其優(yōu)異的化學穩(wěn)定性以

3、及在分子探針、能量存儲、催化等領(lǐng)域的良好應(yīng)用前景,受到人們越來越多的關(guān)注。
　　 在本論文中,我們提出了一種利用界面擴散過程制備金膜表面納米結(jié)構(gòu)的方法,采用真空熱蒸發(fā)方法依次蒸鍍金和銅雙層膜,經(jīng)過熱退火處理,再用化學腐蝕方法除去銅組分來制備單面納米孔金膜。用掃描電子顯微鏡觀察薄膜表面形貌,并比較了退火溫度以及退火時間對納米結(jié)構(gòu)的影響。研究還發(fā)現(xiàn),當這種具有納米結(jié)構(gòu)的金膜吸附有單分子層的對甲基苯硫酚或者4,4’-聯(lián)吡啶分子后,能觀