納米浮柵存儲器件的仿真、試制與特性表征.pdf

1、在應對半導體制造技術不斷發(fā)展的潮流時，傳統(tǒng)非揮發(fā)性存儲器件的連續(xù)浮柵結構制約了其向更小尺寸發(fā)展，需要在保持浮柵存儲器件工作機理不變的前提下，繼續(xù)發(fā)展浮柵存儲器。納米晶體浮柵存儲器件是解決傳統(tǒng)浮柵存儲器件面臨的小尺寸限制的有效辦法，這為納米晶體浮柵存儲器件的發(fā)展提供了極大的動力。
　　本文闡述了納米晶體浮柵存儲器件的發(fā)展背景，包括非揮發(fā)性存儲器的市場前景和發(fā)展形勢，以及納米晶體浮柵存儲器件的優(yōu)勢等；介紹了非揮發(fā)性存儲器件的理論知識和

2、納米晶體浮柵存儲器件的納米特性；并利用工藝仿真軟件Tsuprem4和器件仿真軟件 Medici對硅納米晶體浮柵存儲器件建模和仿真了其電學特性等；試制了不同溝道長度的N溝道硅納米晶體浮柵存儲器件并對其做了常規(guī)的測試分析。
　　本文具體完成以下工作：
　?。╝）、利用Tsuprem4建立了硅納米晶體浮柵存儲器件的仿真模型，然后利用Medici對模型的電學特性進行仿真分析，另外研究了硅納米晶體浮柵存儲器件的幾個重要結構參數(shù)對存儲器

3、件的存儲特性（主要是存儲窗口）的影響，對硅納米晶體浮柵存儲器件的數(shù)據(jù)保持能力進行了Matlab建模分析。
　　（b）、討論了硅納米晶體的制備方法和利用標準2μm CMOS工藝制備硅納米晶體浮柵存儲器件的工藝流程，并將離子注入和退火制備硅納米晶體的方法加入NTU-MFL2μmNWell CMOS中的Single-Poly-Single-Metal(SPSM)標準CMOS工藝中，成功試制了一批具有不同溝道長度的N溝道硅納米晶體浮柵存儲