電阻型存儲(chǔ)器件的設(shè)計(jì),制作及表征.pdf

1、存儲(chǔ)器是電子產(chǎn)品中不可或缺的組成部分，而傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器將在不遠(yuǎn)的將來(lái)迎來(lái)技術(shù)和物理上的極限。近年來(lái)，提出了一些新的材料和結(jié)構(gòu)來(lái)解決這一問(wèn)題，電阻型存儲(chǔ)器就是其中之一。電阻型存儲(chǔ)器（RRAM）在金屬-絕緣介質(zhì)-金屬（MIM）的三層結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，利用介質(zhì)層的電阻開(kāi)關(guān)現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作電壓低、低功耗、傳感電路簡(jiǎn)單以及適于高密度陣列等優(yōu)勢(shì)。
　　在本文中，制備并測(cè)試了基于NiO薄膜的電阻型存儲(chǔ)器件，

2、其高低阻態(tài)擁有大于三個(gè)數(shù)量級(jí)的電阻值區(qū)別。從低阻態(tài)到高阻態(tài)和從高阻態(tài)到低阻態(tài)所需的電壓分別分布在1.2V到3.3V和0.5V到0.9V。對(duì)器件進(jìn)行超過(guò)100次的反復(fù)擦寫(xiě)操作以及超過(guò)10000s的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試后仍有大于三個(gè)數(shù)量級(jí)的電阻窗口，顯示出良好的耐擦寫(xiě)能力和數(shù)據(jù)保持能力。
　　測(cè)試了基于NiO薄膜的電阻型存儲(chǔ)器件的電阻開(kāi)關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)從低阻態(tài)到高阻態(tài)的過(guò)程中器件對(duì)電壓有明顯的選擇性。另外無(wú)論是能否發(fā)生reset過(guò)程，均發(fā)現(xiàn)了