寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法與實(shí)現(xiàn)方法的研究.pdf

1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)傳輸速率越來(lái)越大,用戶所使用的頻率越來(lái)越高,頻帶越來(lái)越寬,射頻寬帶電路的設(shè)計(jì)已經(jīng)成為研究的熱點(diǎn)。本論文研究的重點(diǎn)就是寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),論文從寬帶低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、放大器的電路板級(jí)和芯片級(jí)三個(gè)方面探討了寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法和實(shí)現(xiàn)方法。 在寬帶低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面,結(jié)合兩款寬帶放大器的設(shè)計(jì),提出了兩種增強(qiáng)寬頻帶內(nèi)穩(wěn)定性的具體方法,其中一款的指標(biāo)為帶寬1GHz到4GH

2、z,噪聲系數(shù)在2.6dB到2.8dB之間,單級(jí)增益在10dB以上；另一款的指標(biāo)為帶寬為3.1GHz-6GHz,增益在12dB以上,S11和S22都在-15dB以下,S12低于-20dB,放大器的噪聲系數(shù)在1.3-1.7dB之間,并且兩款放大器在通帶內(nèi)都無(wú)條件穩(wěn)定,在設(shè)計(jì)過(guò)程中,本文詳細(xì)的分析了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮的各種問(wèn)題,并且給出了具體的電路設(shè)計(jì)過(guò)程。 在放大器的板級(jí)實(shí)現(xiàn)的研究里,本文成功地設(shè)計(jì)了并制作了一款頻率從0.8G到3.5GH

3、z,增益在10dB以上,噪聲系數(shù)在2dB到3dB的寬帶低噪聲放大器的電路板。在這個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例中,加入了電磁仿真,電磁仿真與原理圖聯(lián)合仿真,保證在制版之前得到與實(shí)際情況符合的仿真結(jié)果。最后總結(jié)出了射頻低噪聲放大器電路板的快速的并且精確的實(shí)現(xiàn)方法。 在放大器芯片級(jí)實(shí)現(xiàn)方面,本文探討了射頻無(wú)源器件在芯片上的實(shí)現(xiàn)方法,并且列出了一些估算射頻無(wú)源器件值的方法,同時(shí)結(jié)合了Jazz SBC35硅鍺工藝庫(kù)給出了在低噪聲放大器芯片設(shè)計(jì)中射頻晶體管單