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文檔簡介
1、二十世紀70年代初合成的含4個硫原子的多硫電子給體TTF(Tetrathiafulvalene,C6S4H4)型電子給體是分子導(dǎo)體領(lǐng)域中著名的電子給體。10年后TTF型電子給體的硫原子數(shù)擴充到8,例如分子超導(dǎo)體中首屈一指的電子給體BEDT-TTF(Bis(4,5-ethylenedithio)tetrathiafulvalene,C10S8H8)。 近年來出現(xiàn)的以TTP(tetrathiapentalene,四硫并環(huán)戊烯)為結(jié)構(gòu)
2、特征的多硫電子給體是TTF體系的一個新的擴展。體現(xiàn)在其硫原子數(shù)目進一步增加,分子平面和共軛性更加增強。合成的難度也進一步加大,例如流程驟增,產(chǎn)物復(fù)雜,溶解性驟減。 本論文的研究目標是合成含12個硫原子或16個硫原子的新型多硫電子給體,為發(fā)展新一代分子導(dǎo)體和半導(dǎo)體開辟道路。我們從含2個硫原子的CS2出發(fā),逐步擴大分子的尺度和π共軛體系,合成了許多前體化合物。在探索反應(yīng)條件方面(例如偶合反應(yīng)的探索),進行了大量實驗工作,完成了合成B
3、VDT-TTP(含12個硫原子)的預(yù)定目標,并進一步合成了含16個硫原子的BVDT-TTPY。 1.首次合成含12個硫原子的多硫電子給體BVDT-TTP: 2,5-bis(4,5-vinylenedithio-1,3-dithio-2-ylidene)-1,3,4,6-tetrathiapentalene 2,5-二(4,5-亞乙烯基硫-1,3-二硫-2-亞基)-1,3,4,6-四硫并環(huán)戊烯并首次測定了BVDT-TTP的
4、分子結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)。長度為18.6nm的BVDT-TTP分子基本為平面構(gòu)型,兩端的亞乙烯基分別向上向下翹離平面,其余22個原子共平面。分子良好的平面共軛性,保證電子在分子內(nèi)的充分離域。晶體中所有分子平行堆積,相鄰上下分子的面間距為0.3578 nm,具有較強的分子間的π-π相互作用,有利于電子在分子間的遷移。 2.首次合成含16個硫原子的多硫電子給體BVDT-TTPY: 2,2’-bis[4,5-vinylenedith
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