柵極驅動光電耦合器芯片的研究與設計.pdf

1、西安電子科技大學學位論文獨創(chuàng)性(或創(chuàng)新性)聲明秉承學校嚴謹?shù)膶W風和優(yōu)良的科學道德，本人聲明所呈交的論文是我個人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標注和致謝中所羅列的內容以外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學或其它教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請學位論文與資料若有不實之處，

2、本人承擔一切的法律責任。本人簽名：西安電子科技大學關于論文使用授權的說明本人完全了解西安電子科技大學有關保留和使用學位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學位期間論文工作的知識產權單位屬于西安電子科技大學。學校有權保留送交論文的復印件，允許查閱和借閱論文；學?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨热?，可以允許采用影印、縮印或其它復制手段保存論文。同時本人保證，畢業(yè)后結合學位論文研究課題再撰寫的文章一律署名單位為西安電子科技大學。本人簽名導師簽名●____

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4、—。。’———。?！?。’——’?！膦鑟刪11l鄴四II㈣剡㈣摘要凋茭柵極驅動光電耦合器XD0129是一款用于驅動功率MOsFET(MetalOxide—SemiconductorFieldE彘ctTraIlsistor)或IGBT(IIlSulatedGateBipolarTransistor)的驅動芯片。論文首先概述了光電耦合器的組成、參數(shù)和作用，重點介紹了了紅外發(fā)光二極管的發(fā)光原理和硅光電二極管工作原理，并給出了硅光電二極管

5、的模型。其次，詳細分析了功率MOSFET的內部結構，給出了其參數(shù)模型。最后依據(jù)功率MOSFET的參數(shù)模型和驅動原理，設計了柵極驅動光電耦合器XD0129。XD0129包括了輸入端的砷化鋁鎵(砧GaAs)發(fā)光二極管和輸出端的驅動電路。基準模塊中設計了一個基于齊納二極管穩(wěn)壓原理的預偏置電路，滿足了寬電源電壓范圍的同時提高了基準的精度；芯片內部集成了帶遲滯的欠壓閉鎖模塊，欠壓時關斷芯片并防止了電源在閾值附近抖動引起的安全問題?；贠4岬1BC