光電耦合器噪聲測(cè)試技術(shù)與可靠性噪聲表征研究.pdf

1、本文在詳細(xì)分析光電耦合器電學(xué)特性和低頻噪聲的基礎(chǔ)上，進(jìn)行了噪聲用于光電耦合器可靠性表征方法的研究。取得了以下研究結(jié)果： 1、設(shè)計(jì)并制作了一套適用于現(xiàn)有常見(jiàn)軍用光電耦合器噪聲測(cè)試偏置盒，與虛擬儀器的半導(dǎo)體器件低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)連接，構(gòu)成半導(dǎo)體光電耦合器的低頻噪聲測(cè)試系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明若以通用儀器組建的測(cè)試系統(tǒng)為基準(zhǔn)，本文測(cè)試系統(tǒng)的相對(duì)誤差小于5％。 2、本文在深入研究發(fā)光二極管工作原理及1/f噪聲載流子數(shù)漲落理論和遷移率漲落

2、理論的基礎(chǔ)上，建立了發(fā)光二極管的電性能模型及1/f噪聲模型。通過(guò)對(duì)模型研究發(fā)現(xiàn)N<,t<,LID>>(界面態(tài)陷阱密度)和擴(kuò)散電流比率是影響發(fā)光二極管性能的重要因素，并與器件可靠性有密切關(guān)系。而低頻1/f噪聲可表征N<,t<,LID>>和擴(kuò)散電流比率。在輸入電流寬范圍變化的條件下測(cè)量了器件的電學(xué)噪聲，實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論模型符合良好。本文還證明了發(fā)光二極管噪聲幅值越大，電流指數(shù)越接近于2，器件可靠性越差，失效率則顯著增大。 3、在發(fā)光二

3、極管模型的基礎(chǔ)上，研究光電耦合器可靠性噪聲表征。通過(guò)所建立光電耦合器電學(xué)模型和噪聲模型，發(fā)現(xiàn)表征光電耦合器可靠性的重要表征參量CTR與低頻1/f噪聲之間定性的關(guān)系。β<,I<,e>>(f)接近1表明器件中的噪聲主要為擴(kuò)散1/f噪聲，N<,t<,LID>>和晶體管中的N<,t<,1>>、N<,t<,2>>應(yīng)較??；反之β<,I<,e>>(f)接近2，則以復(fù)合1/f噪聲為主，N<,t<,LID>>和晶體管中的N<,t<,1>>、N<,t<,2