MOSIC中高壓結(jié)構(gòu)研究及其工程應(yīng)用.pdf

1、論文首先介紹了課題的背景：課題來(lái)源于華潤(rùn)矽科開展的VFD驅(qū)動(dòng)及控制系列電路的設(shè)計(jì)，該類電路的特點(diǎn)及難點(diǎn)是采用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高、低壓兼容，即控制部分采用5V電源、驅(qū)動(dòng)部分采用了35V的高壓驅(qū)動(dòng)。在該類電路的研發(fā)過程中，先后基于1.5um、0.6um兩種工藝研制了50V的高壓PMOS IP，利用這種IP，開發(fā)了以CSl6312CEN為代表的VFD驅(qū)動(dòng)及控制系列電路。同時(shí)也介紹了通過本課題的推進(jìn)，本研究先后獲得國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品等榮譽(yù)，并先后

2、向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)多項(xiàng)專利和布圖保護(hù)。 論文在引言部分還從顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)類集成電路的市場(chǎng)需求入手，介紹了高低壓兼容類集成電路在我國(guó)廣闊的市場(chǎng)前景、巨大的市場(chǎng)容量，從而引入了在MOS集成電路中研究高壓結(jié)構(gòu)的必要性和有力依據(jù)；同時(shí)，介紹了該課題的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域，即VFD顯示驅(qū)動(dòng)系列電路在國(guó)內(nèi)外的發(fā)展現(xiàn)狀、及其發(fā)展趨勢(shì)；最后，說明本課題的研究?jī)?nèi)容、創(chuàng)新點(diǎn)等。 在工作原理部分，本文首先介紹了常見的幾種高壓結(jié)構(gòu)，并以橫向的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)

3、為例，重點(diǎn)說明了其耐壓原理、以及該結(jié)構(gòu)的電特性參數(shù)；其次說明了高壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中要重點(diǎn)考慮的幾個(gè)重要參數(shù)和性能特點(diǎn)，即耐高壓參數(shù)、電阻特性、電流特性等。 在設(shè)計(jì)應(yīng)用部分，本文分別介紹了常規(guī)低壓1.5um CMOS工藝、特殊高壓0.6um CMOS工藝下50V高壓PMOS管結(jié)構(gòu)、以及工藝流程和IP測(cè)試結(jié)果；然后介紹了該50V高壓PMOS IP的工程應(yīng)用實(shí)例，即CSl6312CEN的工作原理、指令分析、版圖設(shè)計(jì)、測(cè)試應(yīng)用驗(yàn)證結(jié)果等。同時(shí)