半導體功率放大激光器耦合效率的研究.pdf

1、本論文通過對波長為1.3μm、InGaAsP/InP材料的半導體功率放大激光器的特殊結構的分析和研究，采取在半導體功率放大激光器相應的腔面鍍膜的方法，以獲得高的增益、降低閾值電流、提高激光器的光耦合效率以及光輸出功率。為了提高半導體功率放大激光器中激光發(fā)生器與激光放大器的光耦合效率，我們通過在半導體功率放大激光器的激光發(fā)生器的前腔面鍍制高反射膜方法，提高激光發(fā)生器端面的光輸出，進而來提高它的光耦合效率，我們采用ZrO2和MgF2作為多層

2、介質高反射膜，通過理論計算，半導體功率放大激光器后腔面反射率理論上可達到92.5％。最后通過實驗分析加以驗證，半導體功率放大激光器在鍍制反射膜之后，它的整體工作功率提高了36.3-50％。同時，為了進一步提高半導體功率放大激光器中的激光發(fā)生器與激光放大器的耦合效率，我們采取在半導體功率放大激光器激光放大器的前腔面鍍制SiO增透膜的方法來提高相應腔面的透射率，進一步提高它的光耦合效率。并采用軟件進行模擬計算分析，整體透射率得到了明顯改善。