CT三維重建在多通道人工耳蝸術后評估的研究.pdf

1、目的：
　　通過CT三維創(chuàng)新重建，評估多通道人工耳蝸植入術后電極位置、形態(tài)，分析植入深度與術中電刺激聽神經復合動作電位閾值相關性。
　　方法：
　　收集中國醫(yī)科大學2013年4月～2014年2月雙耳重度或極重度感音神經性聾在我院行多通道人工耳蝸植入患者40例，18例植入奧地利COMBI40+型電極，22例植入美國HiFocus1J型電極，術后一周內行多排螺旋CT耳蝸靶掃描，將掃描圖像傳至GE ADW4.4工作站，一方面

2、對耳蝸內電極行三維斜面重建(Oblique PlanarReconstruction OPR)、批量處理(Batch)及容積再現(xiàn)(VRT);一方面對耳蝸內電極行三維曲面重建(Curved Reconstruction CR)，測量兩種電極植入深度，比較兩種電極植入深度差異;術中測定電刺激聽神經復合動作電位(Electrically evokedauditory nerve compound action potential ECAP)閾

3、值測定，COMBI40+型電極用ART系統(tǒng)測量4、8及12號電極ECAP閾值，取平均閾值，HiFocus1J型電極用NRI系統(tǒng)測量5、10及15號電極ECAP閾值，取平均閾值;采用SPSS17.0軟件分析包對數(shù)據進行處理。兩種類型人工耳蝸植入深度采用獨立樣本采用t檢驗，數(shù)據間用單因素相關分析。檢驗水準:α=0.05，P＜0.05差異有統(tǒng)計學意義或存在相關性。
　　結果：
　　1、三維OPR及Batch重建斜冠狀位圖像一方面清

4、晰顯示人工耳蝸頂端電極位置、各個電極從鼓階至圓窗全程排列走形及數(shù)目，COMBI40+型電極顯示12對電極11例，11對4例，10對3例，HiFocus1J型電極顯示16對電極22例;一方面較清晰顯示鼓階、前庭階、蝸軸及電極在鼓階的位置24例，COMBI40+型電極13例，HiFocus1J型電極11例;VRT圖像清晰顯示人工耳蝸電極的立體結構、圈數(shù)及耳蝸中位置，COMBI40+型電極中9例頂端電極位于中間圈，圈數(shù)為2;8例位于中間圈與基

5、底圈之間，圈數(shù)約1.5，1例蝸項位于基底圈，圈數(shù)為1;HiFocus1J型電極中O例頂端電極于中間圈，圈數(shù)為2;11例位于中間圈與基底圈之間，圈數(shù)約1.5，11例蝸頂位于基底圈，圈數(shù)為1，2例清晰顯示頂端電極扭曲、移位。
　　2、COMBI40+型電極電極植入的平均深度29.875±1.303mm，HiFocus1J型電極植入的平均深度20.832±1.577mm，兩種型號電極植入深度差異統(tǒng)有計學意義(t=19.476，p＞0.0

6、5)，在植入深度方面，COMBI40+型電極大于HiFocus1J型電極。
　　3、術中COMBI40+型電極ECAP平均閾值175.854+1.841 CL，HiFocus1J型電極ECAP平均閾值170.435±1.473CL，COMBI40+型比HiFocus1J型電極閾值高。
　　4、分別分析電極植入深度與ECAP平均閾值相關性，COMBI40+型電極|r|=0.618，P＜0.05，HiFocus1J型電極，|r|

7、=0.835，P＜0.05，說明兩種類型電極植入深度與ECAP平均閾值呈負相關，但是HiFocus1J型電極比COMBI40+型電極相關性顯著。
　　結論：
　　三維OPR-Batch及VRT重建創(chuàng)新方法理想顯示人工耳蝸電極在耳蝸內的位置、形態(tài)及數(shù)目;在遠期復查中，能夠清晰、直觀、準確地觀察人工耳蝸電極是否脫落、扭曲等問題;三維曲面重建較準確測量電極植入深度;在一定范圍內，電極植入深度與ECAP平均閾值呈顯著負相關，即植入越