CT三維重建在多通道人工耳蝸術(shù)后評估的研究.pdf

1、目的：
　　通過CT三維創(chuàng)新重建，評估多通道人工耳蝸植入術(shù)后電極位置、形態(tài)，分析植入深度與術(shù)中電刺激聽神經(jīng)復(fù)合動作電位閾值相關(guān)性。
　　方法：
　　收集中國醫(yī)科大學(xué)2013年4月～2014年2月雙耳重度或極重度感音神經(jīng)性聾在我院行多通道人工耳蝸植入患者40例，18例植入奧地利COMBI40+型電極，22例植入美國HiFocus1J型電極，術(shù)后一周內(nèi)行多排螺旋CT耳蝸靶掃描，將掃描圖像傳至GE ADW4.4工作站，一方面

2、對耳蝸內(nèi)電極行三維斜面重建(Oblique PlanarReconstruction OPR)、批量處理(Batch)及容積再現(xiàn)(VRT);一方面對耳蝸內(nèi)電極行三維曲面重建(Curved Reconstruction CR)，測量兩種電極植入深度，比較兩種電極植入深度差異;術(shù)中測定電刺激聽神經(jīng)復(fù)合動作電位(Electrically evokedauditory nerve compound action potential ECAP)閾

3、值測定，COMBI40+型電極用ART系統(tǒng)測量4、8及12號電極ECAP閾值，取平均閾值，HiFocus1J型電極用NRI系統(tǒng)測量5、10及15號電極ECAP閾值，取平均閾值;采用SPSS17.0軟件分析包對數(shù)據(jù)進行處理。兩種類型人工耳蝸植入深度采用獨立樣本采用t檢驗，數(shù)據(jù)間用單因素相關(guān)分析。檢驗水準(zhǔn):α=0.05，P＜0.05差異有統(tǒng)計學(xué)意義或存在相關(guān)性。
　　結(jié)果：
　　1、三維OPR及Batch重建斜冠狀位圖像一方面清

4、晰顯示人工耳蝸頂端電極位置、各個電極從鼓階至圓窗全程排列走形及數(shù)目，COMBI40+型電極顯示12對電極11例，11對4例，10對3例，HiFocus1J型電極顯示16對電極22例;一方面較清晰顯示鼓階、前庭階、蝸軸及電極在鼓階的位置24例，COMBI40+型電極13例，HiFocus1J型電極11例;VRT圖像清晰顯示人工耳蝸電極的立體結(jié)構(gòu)、圈數(shù)及耳蝸中位置，COMBI40+型電極中9例頂端電極位于中間圈，圈數(shù)為2;8例位于中間圈與基

5、底圈之間，圈數(shù)約1.5，1例蝸項位于基底圈，圈數(shù)為1;HiFocus1J型電極中O例頂端電極于中間圈，圈數(shù)為2;11例位于中間圈與基底圈之間，圈數(shù)約1.5，11例蝸頂位于基底圈，圈數(shù)為1，2例清晰顯示頂端電極扭曲、移位。
　　2、COMBI40+型電極電極植入的平均深度29.875±1.303mm，HiFocus1J型電極植入的平均深度20.832±1.577mm，兩種型號電極植入深度差異統(tǒng)有計學(xué)意義(t=19.476，p＞0.0

6、5)，在植入深度方面，COMBI40+型電極大于HiFocus1J型電極。
　　3、術(shù)中COMBI40+型電極ECAP平均閾值175.854+1.841 CL，HiFocus1J型電極ECAP平均閾值170.435±1.473CL，COMBI40+型比HiFocus1J型電極閾值高。
　　4、分別分析電極植入深度與ECAP平均閾值相關(guān)性，COMBI40+型電極|r|=0.618，P＜0.05，HiFocus1J型電極，|r|

7、=0.835，P＜0.05，說明兩種類型電極植入深度與ECAP平均閾值呈負(fù)相關(guān)，但是HiFocus1J型電極比COMBI40+型電極相關(guān)性顯著。
　　結(jié)論：
　　三維OPR-Batch及VRT重建創(chuàng)新方法理想顯示人工耳蝸電極在耳蝸內(nèi)的位置、形態(tài)及數(shù)目;在遠期復(fù)查中，能夠清晰、直觀、準(zhǔn)確地觀察人工耳蝸電極是否脫落、扭曲等問題;三維曲面重建較準(zhǔn)確測量電極植入深度;在一定范圍內(nèi)，電極植入深度與ECAP平均閾值呈顯著負(fù)相關(guān)，即植入越