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文檔簡介
1、該文全面系統(tǒng)地研究了MeV鉺離子注入硅單晶的射程分布、損傷分布、退火行為、外擴(kuò)散和發(fā)光特性.該論文的主要內(nèi)容包括:1.簡要論述了離子與固體相互作用的理論基礎(chǔ)-即阻止本領(lǐng)的計(jì)算.2.簡要介紹了鉺注入單晶硅的研究現(xiàn)狀,并就鉺在硅中的電子結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)以及發(fā)光機(jī)理等問題進(jìn)行了討論.3.用盧瑟福背散射及溝道效應(yīng)研究了能量為2MeV,劑量從2×10<'12>ions/cm<'2>到2.5×10<'15>ions/cm<'2>的鉺離子注入硅單晶的濃
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