氣壓浸滲SiCp-Al電子封裝外殼的制備與性能.pdf

1、SiC顆粒增強(qiáng)Al基復(fù)合材料(SiCp/Al)具有優(yōu)異的物理和力學(xué)性能，可以用作良好的結(jié)構(gòu)部件。氣壓浸滲的方法可以很好的實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的近終形，減少材料的后序加工量。因此本文選用氣壓浸滲的方法制備了SiCp/Al電了封裝外殼，行對(duì)制備的外殼的熱膨脹行為和機(jī)械性能做了研究。 本文通過(guò)雙尺寸SiC顆粒選取、粉料處理、蠟漿制備、SiC外殼坯體澆注、排蠟和燒成的工藝成功制備了SiC預(yù)制型外殼。研究了氣壓浸滲與無(wú)壓浸滲、離心沒(méi)滲和擠壓浸滲機(jī)

2、理的區(qū)別，分析了氣壓浸滲過(guò)程中產(chǎn)生浸滲包抄的原因。SiCp/Al復(fù)合材料與Al合金基體相比較，由于有SiC顆粒增強(qiáng)體的作用能明顯降低工程CTE和物理CTE，因此隨著SiC顆粒體積分?jǐn)?shù)的增加，同一溫度的工程CTE減小；單尺寸顆粒SiC對(duì)基體合金的抑制作用小于雙尺寸SiC顆粒，這足由于表面積小同所造成的；SiCp/Al物理CTE的突變點(diǎn)隨著體積分?jǐn)?shù)的增加而下降。sicp/Al隨著密度的增大，30℃-200℃的工程CTE有下降的趨勢(shì)。由于增

3、強(qiáng)體顆粒與基體合金之間的巨人的CTE差別，將導(dǎo)致復(fù)合材料內(nèi)形成內(nèi)應(yīng)力，而熱處理可以消除部分內(nèi)應(yīng)力從而降低復(fù)合材料的CTE，并增加復(fù)合材料的尺寸穩(wěn)定性。 復(fù)合材料的抗彎強(qiáng)度隨著密度的增加而增加，南丁受到氣孔、界而結(jié)合程度、系統(tǒng)誤差等多方面的影響，并不呈線性增加。而楊氏模量也隨著密度的增加而增加。 Si含量的增加會(huì)使得抗彎強(qiáng)度增加，但是由于針狀共晶Si的出現(xiàn)，過(guò)量的Si會(huì)導(dǎo)致復(fù)合材料的彈性模量下降；Mg的加入并不能減小基體合