抗輻照高性能靜態(tài)隨機存取儲器技術(shù)研究.pdf

1、SOI電路與傳統(tǒng)的體硅電路比較起來，具有高速、低壓、低功耗、抗輻照、耐高溫等優(yōu)點，特別在抗輻照加同電路中SOI的全介質(zhì)隔離技術(shù)具有天然優(yōu)勢。隨著移動通信、手提電腦等便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展，集成電路在功耗和體積方面的要求越來越高，SOI將成為實現(xiàn)低壓、低功耗的主流技術(shù)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大家族中，靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用而倍受重視，由于其自身的低功耗和高速度的優(yōu)勢而成為半導(dǎo)體存儲器中不可或缺的一類重要產(chǎn)品。由于SOI技術(shù)本

2、身具有良好的抗輻照性能和較小的寄生電容，在靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)中得到廣泛應(yīng)用，采用SOI CMOS工藝比采用傳統(tǒng)體硅CMOS工藝做成的SRAM在周期時間和總體性能分別提高了20％和30％左右[1]。 本文共分為五章。第一章緒論簡單敘述了本文課題的米源，簡單介紹了SOI技術(shù)及SRAM的基本概念。第二章介紹了SOI MOS器件特性，包括SOI器件的背柵效應(yīng)、短溝道效應(yīng)、Kink效應(yīng)、寄生雙極品體管效應(yīng)、自加熱效應(yīng)及抗輻射特