硅基在片電感射頻模型的研究.pdf

1、無源器件尤其是電感是射頻集成電路中至關(guān)重要的器件。先進的射頻CMOS工藝已經(jīng)能在片集成無源器件。在片無源器件能有效減小封裝寄生參數(shù)，提高電路穩(wěn)定性和性能，因此其應用已經(jīng)成為一種趨勢。但是在片無源器件仍然面臨著嚴重的挑戰(zhàn)，一方面射頻電路對在片無源器件的性能要求越來越高(如高品質(zhì)因子的電感)，此外，如何實現(xiàn)高精度、寬帶、并具有很好的可重復性從而盡量降低建模過程中對工程師的經(jīng)驗依靠的模型，已經(jīng)是射頻電路設(shè)計的一個重大課題。 目前無源器

2、件建模方法主要包括電磁場仿真方法，等效電路物理模型方法，以及基于測量數(shù)據(jù)的等效電路參數(shù)提取方法(簡稱參數(shù)提取法)等。其中，基于參數(shù)提取的建模方法是集成電路工業(yè)界的首選，因為該方法精度高，而且其等效電路模型與SPICE類型的電路仿真器完全兼容，能進行時域，頻域甚至噪聲分析。 傳統(tǒng)上，參數(shù)提取主要采用迭代擬合優(yōu)化的方法，比如遺傳算法，指數(shù)下降算法，最小二乘算法等。這種方法的一個根本性缺陷是收斂性問題，如果初始值選取不當，將會產(chǎn)生多值