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文檔簡(jiǎn)介
1、湘潭大學(xué)碩士學(xué)位論文MOCCII及其高頻非理想特性研究姓名:胡明祥申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):信號(hào)與信息處理指導(dǎo)教師:王春華20070501IIABSTRACTInthispaperlotsofrelatedacademicdataareinquiredthedevelopmentofcurrentconveyMOCCIIissummarizedthefmerrelatedresearchedfruitsareutilizedbasedon
2、theexistingresearchedstatusvariousmethodsthatcanimprovedfrequencyacteristicsofMOCCIIareintroducedwhichisstartedfromexpingbwidthofCCparts.Theresultsofsimulationstapeoutverifyrationalitycrectnessoftheresearch.Themaininnova
3、tionsofthethesisareasfollows:1)Fcurrenttransferptsindertoimprovethefrequencyacteristicsaddingatunableresistincurrentmirrsisadoptedwhichmakesthefirstdersystemofcurrenttransferfunctionofthecurrentmirrsbecomeseconddersystem
4、withadjustablepolesbycontrollingtheresistanceletsthepoleskeepawayfromtheiginintheplaneSconsequentlyimprovesthebwidthofthecurrentmirrs.2)FvoltagetransferptindertoimproveacteristicsofvoltagefollownonidealHFthreenovelmethod
5、sofHFcompensationofMOCCIIsuchasfollowsareadvancedtheresultsofPSPICEHSPICEsimulationsshowtheirnicecompensationeffects:I.SourcecapacitivelycoupledamplifiercompensationmethodnamelySCCA.Themainideaofthemethodisasfollows:thei
6、ginalvoltagetransferfromYtoXthatisnocompensatedistakenaslowfrequencytransferthentheaddedSCCAislookedasbpasstransferconsequentlythepiledtransfercurveistheonewhichisimprovedinfrequencyacteristics.II.Parelleldifferentialpai
7、rscompensationmethodbasedon“Multitanhcurve”principle.Themainideaofthemethodisasfollows:Basedon“Multitanhcurve”principlepoleextendingmethodisadoptedfvoltagerelationofMOCCIIfromYpttoXptnamelyweaddtheseveralparalleldifferen
8、tialpairsbetweentheterminalsXYtoletthepolesoftransferfunctionbetweentheptXYkeepawayfromtheiginintheplaneSsovoltagetransferacteristicsareimproved.III.Addingatunableresistincurrentmirrsisalsoadoptedbutthetunableresistisadd
9、edinthemirrsfromYpttoXpt.3)TapeoutofonlyMOCCIImoduleaftercompensationisfirstlydoneinthoseresearchesofCCintegratedelementsathomelotsoftestsofthechip’sperfmancesareplaned.HardwareoftheresearchtakespartinMPWofShanghaiResear
10、chCenterfIntegratedCircuitDesigntheadoptedprocessisCSMC0.6umMixedmodewhichis2Poly2Mental5Vcevoltage.ThelayoutofMOCCIIICisdesignedindetailbefetapeouttheperfmancesofICaftertapeoutaretestedwhensamplechipsarebroughtback.KeyW
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