智能功率集成電路中部分子電路的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，以新型功率MOS器件為基礎(chǔ)的智能功率集成電路(SPIC)得到了迅速發(fā)展。智能功率集成電路中的功率校正電路也隨著人們對(duì)電源諧波污染的關(guān)注而逐漸成為一個(gè)重要的研究對(duì)象?，F(xiàn)在的功率因數(shù)校正技術(shù)可以按照無源功率因數(shù)校正和有源功率因數(shù)校正來劃分，前者通常只能將功率因數(shù)提高到95％，而后者可以將功率因數(shù)提高到近似為1。國際上已經(jīng)出現(xiàn)了一些有源功率因數(shù)校正芯片，如Onsemi公司的MC33262、MC34262，ST公司的L65

2、61、L6562，Microlinear公司的ML4812等產(chǎn)品。 本文研究了有源功率因數(shù)校正技術(shù)中的臨界導(dǎo)通模式的基本原理，并對(duì)其中的電壓基準(zhǔn)源和模擬乘法器做了詳細(xì)的分析和設(shè)計(jì)。分析了幾種電壓基準(zhǔn)源的基本原理并從中選出適合實(shí)際應(yīng)用的基準(zhǔn)源，研究了提高電源電壓抑制比和高階溫度系數(shù)補(bǔ)償?shù)姆椒?，還對(duì)實(shí)際用的基準(zhǔn)源進(jìn)行了流片后的測試及測試結(jié)果分析。對(duì)于模擬乘法器，分析了其工作原理，并設(shè)計(jì)其輸入輸出級(jí)使其適合設(shè)計(jì)要求。最后對(duì)版圖進(jìn)行了研