智能功率集成電路中部分子電路的分析與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微電子技術(shù)的進步，以新型功率MOS器件為基礎(chǔ)的智能功率集成電路(SPIC)得到了迅速發(fā)展。智能功率集成電路中的功率校正電路也隨著人們對電源諧波污染的關(guān)注而逐漸成為一個重要的研究對象。現(xiàn)在的功率因數(shù)校正技術(shù)可以按照無源功率因數(shù)校正和有源功率因數(shù)校正來劃分，前者通常只能將功率因數(shù)提高到95％，而后者可以將功率因數(shù)提高到近似為1。國際上已經(jīng)出現(xiàn)了一些有源功率因數(shù)校正芯片，如Onsemi公司的MC33262、MC34262，ST公司的L65

2、61、L6562，Microlinear公司的ML4812等產(chǎn)品。 本文研究了有源功率因數(shù)校正技術(shù)中的臨界導通模式的基本原理，并對其中的電壓基準源和模擬乘法器做了詳細的分析和設(shè)計。分析了幾種電壓基準源的基本原理并從中選出適合實際應(yīng)用的基準源，研究了提高電源電壓抑制比和高階溫度系數(shù)補償?shù)姆椒?，還對實際用的基準源進行了流片后的測試及測試結(jié)果分析。對于模擬乘法器，分析了其工作原理，并設(shè)計其輸入輸出級使其適合設(shè)計要求。最后對版圖進行了研

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