基于SOI襯底的ONO結(jié)構(gòu)制造技術(shù)及特性研究.pdf

1、在微電子行業(yè)，存儲(chǔ)器技術(shù)是一個(gè)快速發(fā)展的領(lǐng)域，隨著計(jì)算機(jī)和通訊的需求的提高，對(duì)存儲(chǔ)器的要求也不斷提高，為了適應(yīng)發(fā)展需要，新技術(shù)不斷出現(xiàn)。ONO技術(shù)是目前存儲(chǔ)器廣泛采用的技術(shù)，并且在不斷地更新。隨著微電子進(jìn)入納微時(shí)代，新的SOI材料以其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)正在得到廣泛地使用，尤其是在抗輻射的領(lǐng)域內(nèi)。將ONO技術(shù)運(yùn)用到SOI材料上，制作出高可靠性、抗輻射的存儲(chǔ)器，具有極大的實(shí)用價(jià)值。 本文從存儲(chǔ)器的原理、ONO結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)和SOI的固有特性出發(fā)

2、，著重研究了以SOI材料為襯底的ONO結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程以及ONO結(jié)構(gòu)的各種特性。本課題從原理分析入手，逐個(gè)分析ONO結(jié)構(gòu)各個(gè)膜層的作用，導(dǎo)出了每個(gè)膜層的制作方法、制作原理、工藝控制方法和制作流程，其中包括單層厚度和等效厚度的確定方法，ONO疊層的生長(zhǎng)和刻蝕。在ONO特性的研究中，通過(guò)實(shí)驗(yàn)，研究了ONO結(jié)構(gòu)的Ⅳ特性、漏電流特性、擊穿特性、電荷保持特性，研究了以SOI襯底的采用ONO結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的器件特性，研究了不同生長(zhǎng)方式對(duì)特性的不同影響。