超低飛高硬盤頭盤系統(tǒng)穩(wěn)定性研究.pdf

1、自1956年IBM發(fā)明第一塊硬盤以來，硬盤技術取得了突飛猛進的發(fā)展，硬盤的應用也越來越廣泛。自二十世紀九十年代，硬盤面密度保持60％的年增長率增長。特別是1998年后，隨著GMR (Giant Magneto Resistance)磁頭的引入，面密度年增長率更是達到了100%。隨著存儲密度的不斷提高，硬盤磁頭與盤片之間的距離(即磁頭飛行高度)必須更低。當磁頭飛行高度降低到10 nm以下時，傳統(tǒng)的空氣薄膜潤滑模型遇到挑戰(zhàn)，磁頭與盤片界面短

2、程作用力對磁頭運動產生重要影響，特別是分子間作用力。
　　 從兩分子的分子間作用力模型出發(fā)，結合磁頭盤片界面多層結構，推導磁頭盤片界面分子間作用力模型。鑒于分子間作用力會降低磁頭盤片系統(tǒng)空氣軸承承載力，同時引起磁頭運動的不穩(wěn)定性，繼而在所得磁頭盤片界面分子間作用力模型基礎上研究了潤滑劑層厚度、磁頭飛行傾角和滾翻角以及空氣軸承表面(air bearing surface，ABS)形狀等相關因素對分子間作用力的影響。