PLZT鐵電陶瓷的相變及直流電場(chǎng)下疇變的原位Raman光譜觀測(cè).pdf

1、Raman光譜與鐵電體中的晶格振動(dòng)模相關(guān)，能從晶格動(dòng)力學(xué)的角度反映鐵電體中疇變與相變的物理本質(zhì)。本項(xiàng)工作運(yùn)用Raman散射光譜技術(shù)，建立了對(duì)PLZT鐵電陶瓷的相變及直流電場(chǎng)下的電致疇變進(jìn)行原位觀測(cè)的方法和裝置，對(duì)未極化和經(jīng)過(guò)極化的兩種PLZT試樣在溫度變化過(guò)程中的相變現(xiàn)象和外電場(chǎng)作用下的疇變行為進(jìn)行了系統(tǒng)的觀測(cè)；探索了鐵電陶瓷材料的Raman光譜的分峰擬合方法，并利用該方法獲得了各晶格振動(dòng)模的強(qiáng)度與溫度及外加直流電場(chǎng)之間的變化規(guī)律。

2、 不同溫度下的電滯回線測(cè)試表明，在溫度約320℃處試樣的電滯回線消失，即在該溫度點(diǎn)發(fā)生順電和鐵電相變。而高溫原位Raman觀測(cè)結(jié)果表明，隨著溫度的升高，Raman各特征峰的峰位發(fā)生移動(dòng)，強(qiáng)度下降。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示準(zhǔn)同型相界附近的PLZT鐵電陶瓷在240℃和360℃分別發(fā)生兩次相變，這表明樣品中可能存在混合相。 外加直流電場(chǎng)條件下的Raman原位觀測(cè)結(jié)果表明，各峰的峰位不隨加載時(shí)間和電場(chǎng)強(qiáng)度而變化，這表明外加電場(chǎng)不改變?cè)嚇拥木Ц窠Y(jié)

3、構(gòu)。在電場(chǎng)強(qiáng)度為1375 V/mm的直流電場(chǎng)加載60分鐘后，各Raman峰的強(qiáng)度增加；當(dāng)外加電場(chǎng)的強(qiáng)度超過(guò)矯頑場(chǎng)時(shí)，各峰強(qiáng)隨外加電場(chǎng)的增加而增加，隨外加電場(chǎng)的減弱而減弱；電場(chǎng)作用下未極化試樣峰強(qiáng)變化較極化試樣更明顯。 推出了單晶材料Raman光學(xué)振動(dòng)模散射強(qiáng)度與極化取向角度的關(guān)系，結(jié)果表明，Raman散射強(qiáng)度與電疇取向密切相關(guān)，受90°疇變的影響。在此基礎(chǔ)上提出了利用分布函數(shù)建立多晶材料Raman散射強(qiáng)度的計(jì)算方法，指出90°疇