中性體系下魯米諾的電化學(xué)發(fā)光增強(qiáng)Ag@SiO-,2-，SiO-,2-@Ag粒子的合成與表征.pdf

1、上篇研究了中性體系中魯米諾的電化學(xué)增強(qiáng)。首先在導(dǎo)電玻璃電極表面修飾了離子型聚合物，考察修飾物對(duì)電極反應(yīng)的影響及魯米諾電化學(xué)發(fā)光的影響。修飾了荷正電的聚乙烯亞胺分子的導(dǎo)電玻璃對(duì)電極反應(yīng)影響不大，但能夠極大的提高魯米諾的電化學(xué)發(fā)光強(qiáng)度，歸因于增強(qiáng)了魯米諾激發(fā)態(tài)的穩(wěn)定性。荷負(fù)電的聚丙烯酸分子會(huì)阻礙溶液中的陰離子靠近電極，從而影響電極反應(yīng)。其次，在導(dǎo)電玻璃電極表面進(jìn)行金納米粒子的自組裝，形成了二維亞單層的組裝陣列。金納米粒子不僅可以催化魯米諾的

2、電化學(xué)反應(yīng)，而且金粒子在魯米諾光化學(xué)產(chǎn)生的光的作用下，周圍的電磁場(chǎng)得到增強(qiáng)，從而增強(qiáng)魯米諾的電化學(xué)發(fā)光。魯米諾激發(fā)態(tài)與金粒子之間的非輻射能量轉(zhuǎn)移導(dǎo)致魯米諾在金粒子修飾導(dǎo)電玻璃電極上的電化學(xué)發(fā)光淬滅。為了消除兩者的非輻射能量轉(zhuǎn)移，采用①在反應(yīng)體系中加入十六烷基三甲基溴化銨；②在金粒子修飾的導(dǎo)電玻璃電極表面再修飾離子型聚合物，這兩種方法實(shí)現(xiàn)了魯米諾電化學(xué)增強(qiáng)的目的，增強(qiáng)因子高達(dá)25。 下篇合成了Ag@Si02、SiO@Ag核一殼粒子

3、并進(jìn)行了表征。首先，用氫氣還原氧化銀制備了粒徑約1.00納米的銀納米粒子；以其作為成核中心，在堿性條件下，正硅酸已酯水解在銀粒子的表面包裹二氧化硅層?？刂普杷嵋氧サ牧縼?lái)控制包裹層二氧化硅的厚度，隨著包裹層的增加Ag@Si02紫外光譜紅移。其次，采用正硅酸已酯在堿性條件下水解制備了約20納米的二氧化硅納米粒子；以其為核，在硝酸銀乙醇的溶液中用氫氣還原，在二氧化硅表面生長(zhǎng)了銀納米粒子。通過多次生長(zhǎng)形成了比較致密的銀粒子的包裹。在紫外吸收光