硅化物掩蔽層工藝流程的優(yōu)化——深紫外光為曝光光源的條件下氮氧化硅（SION）作為硬光阻應(yīng)用.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩42頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文詳細(xì)描述了金屬硅化物掩蔽層在半導(dǎo)體工藝中的作用，以及O.18微米節(jié)點(diǎn)以下的工藝流程中，由于機(jī)臺(tái)生產(chǎn)能力的局限所造成硅化物掩蔽層的工藝流程的工藝允許條件縮小的問題。在文中詳細(xì)闡述了如何利用現(xiàn)有的工藝條件、以及改變工藝流程的方式，把這段金屬硅化物掩蔽層工藝流程的工藝允許條件做大。 第一章主要介紹了金屬硅化物掩蔽層的工藝流程背景；第二章、第三章是提出了當(dāng)前金屬硅化物掩蔽層的工藝流程的局限性和解決方案；第四章則重點(diǎn)討論和分析了在第三

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論