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文檔簡介
1、RF MEMS電容開關(guān)在商業(yè)、航空和軍事領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景,然而,它們的商業(yè)化一直受阻于可靠性問題:電介質(zhì)充電效應(yīng)引起開關(guān)致動部分發(fā)生不可逆的粘連現(xiàn)象。在本論文中,我們使用金屬-電介質(zhì)-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)去調(diào)查開關(guān)電介質(zhì)層電荷積累的問題。通過對MIS結(jié)構(gòu)施加電壓負載,然后測量電容-電壓(C-V)曲線的變化,我們能夠研究電介質(zhì)的充放電特性。對氮化硅(SiNx)介質(zhì)進行直流電壓負載并測量了C-V實驗數(shù)據(jù),我們得到SiNx介質(zhì)的充電特性如
2、下:
·硅懸健具有兩性性質(zhì),它們可以被正的或負的充電；
·來自開關(guān)金屬橋的電荷注入是引起開關(guān)致動部分粘連現(xiàn)象的主要原因；
·SiNx介質(zhì)對空穴俘獲比電子俘獲更容易；
·由于陷阱電荷對電介質(zhì)內(nèi)部電場的影響,電荷的注入以至積累將趨于飽和；
另外,我們還研究了電壓致動波形對開關(guān)電介質(zhì)層的電荷積累影響進行了研究。實驗結(jié)果證實了裁制電壓波形可以被用來改善RF MEMS電容開關(guān)的
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