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1、射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)加工的RF產(chǎn)品,它不僅在體積上遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的射頻器件,并且能與傳統(tǒng)的IC技術(shù)相兼容,其具有價(jià)格便宜、體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。其中RF MEMS開關(guān)是無(wú)線通訊領(lǐng)域中最基礎(chǔ)、最關(guān)鍵、應(yīng)用前景最廣泛的RF MEMS器件,也是MEMS技術(shù)在射頻領(lǐng)域應(yīng)用最成功的器件之一。在RF MEMS開關(guān)的研究中,又以電容式RF MEMS開關(guān)的研究為主。
然而,開關(guān)的可靠性問(wèn)題成為限制其商業(yè)化的主要
2、瓶頸,其中電容式RF MEMS開關(guān)的介質(zhì)充電是影響其可靠性的關(guān)鍵問(wèn)題。本文通過(guò)分析得出靜電引力的驅(qū)動(dòng)方式是引起電荷積累的主要原因,由于熱驅(qū)動(dòng)、磁驅(qū)動(dòng)、壓電驅(qū)動(dòng)等驅(qū)動(dòng)方式各自的缺點(diǎn),它們并不適合電容式RF MEMS開關(guān),因此我們提出了新的驅(qū)動(dòng)方式來(lái)替代靜電引力的驅(qū)動(dòng)方式,即通過(guò)靜電斥力的驅(qū)動(dòng)方式從根源上來(lái)消除電荷積累。然而,由于目前靜電斥力的驅(qū)動(dòng)機(jī)制并不是非常清晰,目前的理論尚不足以支持設(shè)計(jì)出性能優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)器,因此本文從用于微變形鏡的靜電
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