微波低噪聲放大器脈沖效應與機理研究.pdf

1、由于半導體器件和集成電路的固有特性以及自身存在的薄弱環(huán)節(jié)和易損部位，在外界電應力的作用下其可靠性下降，甚至完全失效。本文在研究了雙極型器件二次擊穿和安全工作區(qū)的基礎上，重點分析了半導體器件和集成電路脈沖效應產(chǎn)生的機理。研究表明，由于雙極型晶體管集電結勢壘區(qū)總電流密度是由傳導電流密度與位移電流密度兩部分組成，而輸入脈沖信號的上升、下降沿能使位移電流密度陡增，從而導致雙極型器件集電結燒毀。論文對矩形波、三角波、正弦波等常見脈沖信號，從能量、

2、功率和功率譜等方面進行分析和比較，從而確定由矩形波構成的矩形波脈沖串最易引發(fā)半導體器件及集成電路失效。正是這種脈沖串信號的上升沿、下降沿對器件可靠性的不良作用，本文稱之為器件失效的脈沖效應。 在理論分析的基礎上，本文對A-、B3、B5、B5B四種不同型號的微波低噪聲放大器進行了電路特點分析，對幾種電路的脈沖效應薄弱環(huán)節(jié)和易損部位進行了確定，對其中兩種微波低噪聲放大器進行脈沖輸入實驗，并對實驗結果進行了比較。實驗結果表明在較低功率