微電子制造用固結(jié)磨料拋光墊的制備探索研究.pdf

1、集成電路（IC）所用材料主要有硅、鍺和砷化鎵等，但目前單晶硅的使用占據(jù)全球IC生產(chǎn)的90％以上。硅材料是典型的脆性難加工材料，隨著IC技術(shù)向著大尺寸、細(xì)刻線寬度方向發(fā)展，對硅片表面加工提出了越來越高的要求?；谶@一背景，開展了固結(jié)磨料拋光墊的制備以及拋光工藝等方面的探索研究。 本文的主要工作和取得的成果如下： 1. 分析了可用于固結(jié)磨料拋光墊的磨粒，應(yīng)用紅外光譜（FT-IR）和光電子能譜（XPS）分析了改性前后的二氧化鈰

2、、三氧化二鋁和金剛石磨粒表面特性；采用“超聲波+分散劑”的方法對磨粒進(jìn)行表面改性處理，并進(jìn)行沉降實(shí)驗，確定合適的分散工藝。 2. 利用紫外光固化技術(shù)制備固結(jié)磨料拋光墊基體。通過正交實(shí)驗，研究和探索基體硬度、溶脹性以及自修正功能與光固化組分之間的關(guān)系，為固結(jié)磨料拋光墊性能優(yōu)化提供基礎(chǔ)。研究表明：拋光墊基體硬度隨PEGDA、EO15-TMPTA含量的增加而增大；拋光墊基體的溶脹度隨EO15-TMPTA、PEG600含量的增加而變大。

3、基體中EO15-TMAPTA量的增加能使得基體在溶脹后更加容易被去除。各因素對基體溶脹度的影響程度從大到小依次為PEGDA、EO15-TMPTA、PEG600和Irgacure184；對基體干態(tài)硬度的影響程度從大到小依次為PEGDA、EO15-TMPTA、PEG600和Irgacure184；對基體濕態(tài)硬度的影響程度從大到小依次為PEGDA、Irgacure 184和EO15-TMPTA。 3. 提出了固結(jié)磨料拋光墊的幾種表面結(jié)