定向碳納米管陣列膜的制備及其電性能研究.pdf_第1頁
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1、廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文定向碳納米管陣列膜的制備及其電性能研究姓名：朱清鋒申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張海燕20080501廣東T業(yè)人學(xué)碩I：學(xué)位論文知，硅片與石英片都是較為理想的基底材料。制備定向碳納米管陣列膜的適宜工藝條件為：氣壓28Pa，氣體質(zhì)量流量比：CH4：N2：H2=150：25：25，襯底溫度500℃，射頻功率：200W，反應(yīng)時問：60min。3定向碳納米管陣列膜電極的電性能泡沫鎳基體上生長的定向

2、碳納米管陣列膜電極的交流阻抗測試結(jié)果顯示，在頻率較低時表現(xiàn)出明顯的超級電容特性，其電容量與頻率有關(guān)。對不同濃度的催化劑制得的定向碳納米管陣列膜電極進行循環(huán)伏安測試，在02～O8V掃描電位內(nèi)，掃描速率為lmV／s時，不同催化劑得到的ACNTs電極材料都具有較高的比容量，以01mol／L的Ni(N03)2溶液為催化劑制備的定向碳納米管陣列膜電極具有高達2782F／g的比容量。定向碳納米管陣列膜電極的比容量受掃描速率的影響非常大，在大電流充放

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