L、S、C波段寬帶低相位噪聲頻率合成技術(shù)研究.pdf

1、電子技術(shù)的飛速發(fā)展對(duì)頻率源提出了更高的要求。低相位噪聲、高純頻譜、高分辨率和高速頻率捷變成為頻率合成技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)。本文正是基于低相位噪聲、高分辨率為目的，對(duì)寬帶頻率源作了研究和分析。 首先分析直接數(shù)字頻率合成器(DDS)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、雜散來源、輸出頻譜特性。然后介紹了鎖相環(huán)(PLL)的基本結(jié)構(gòu)、相位模型、頻率響應(yīng)、噪聲及雜散性能。接著對(duì)DDS+PLL頻率合成器常用組合方案進(jìn)行了介紹，并對(duì)DDS+PLL系統(tǒng)的相位噪聲

2、、雜散、頻率轉(zhuǎn)換速度進(jìn)行了分析。 DDS+PLL頻率合成方法有很多優(yōu)點(diǎn)。它可以將DDS的超高頻率分辨率、高頻率精確度、容易實(shí)現(xiàn)程控等優(yōu)點(diǎn)與鎖相環(huán)良好的窄帶跟蹤濾波特性相結(jié)合。利用這一理論并結(jié)合系統(tǒng)要求的技術(shù)指標(biāo)，選用了性能優(yōu)良的DDS和PLL芯片，最終實(shí)現(xiàn)方案采用了DDS+PLL+混頻+倍頻等綜合頻率合成技術(shù)，有效的減小了環(huán)路N值，實(shí)現(xiàn)了寬帶低相位噪聲高分辨率頻率合成器。分析了電路的主要組成單元，對(duì)重要的技術(shù)和電路單元作了詳細(xì)說