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1、本論文先介紹了鎖相環(huán)的基本原理和噪聲模型,并在此基礎(chǔ)上說明電荷泵鎖相環(huán)每個模塊的設(shè)計考慮,重點是基于低相位噪聲的要求來研究LC壓控振蕩器的電路設(shè)計以及電感、變?nèi)萜髟贑MOS工藝中的實現(xiàn),文章中還提及電感、變?nèi)萜鞯腝值估算,并在設(shè)計過程中介紹了相位噪聲在1/f2區(qū)域的近似手算公式[7]以及具體計算過程,相位噪聲估算結(jié)果與仿真結(jié)果基本一致。設(shè)計中采用電源電壓為1.8V的單層多晶硅、六層金屬TSMC0.18μm工藝。在typical工藝條件下
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