寬帶低相位噪聲V波段頻率綜合器的研究.pdf

1、現(xiàn)代通信和雷達(dá)技術(shù)發(fā)展尤為迅速，其系統(tǒng)對頻率源的需求也越來越嚴(yán)格，同時這也是未來發(fā)展的一個必然趨勢?，F(xiàn)在研究的主要性能指標(biāo)包括相位噪聲、頻譜純度、跳頻時間、工作的帶寬和頻率穩(wěn)定度等。目前低頻段的頻率源可以采用普通PLL技術(shù)可以實現(xiàn)，但是在高頻段如V波段我們不僅要求有一定的帶寬，而且還要滿足頻率源輸出較好的相位噪聲，只靠PLL鎖相環(huán)技術(shù)很難去實現(xiàn)。如果采用普通的數(shù)字鎖相方式實現(xiàn)，再倍頻到所需要的頻段，其相位噪聲惡化比較嚴(yán)重，導(dǎo)致最終輸出的

2、結(jié)果滿足不了高相噪的要求。因此，基于DRO（介質(zhì)振蕩器）的取樣鎖相技術(shù)得到了重視和應(yīng)用。
　　 取樣鎖相技術(shù)和數(shù)字鎖相技術(shù)相比，電路較為復(fù)雜，其缺點(diǎn)也比較明顯，輸出頻率帶寬較窄，而且調(diào)試也比較復(fù)雜。本文主要研究的是V波段寬頻帶低相噪的頻率合成器，目標(biāo)實現(xiàn)50-53GHz頻率范圍內(nèi)的相噪指標(biāo)為-73dBc/Hz@1KHz，-83dBc/Hz@10KHz，-93dBc/Hz@100KHz。本文主題思想是利用取樣鎖相頻率合成器的低相位

3、噪聲、輸出頻率高等優(yōu)點(diǎn)，并結(jié)合數(shù)字鎖相PLL技術(shù)生成一個寬頻帶低相噪的S波段頻率源，將兩者經(jīng)過混頻、倍頻、濾波、放大處理后得到即有低相位噪聲的特點(diǎn)，同時也滿足了較大帶寬的要求的頻率源。
　　 論文開始階段概述了鎖相環(huán)的工作原理和過程，并分析了取樣鎖相電路中捕獲電路的工作原理和再完成電路的繪制。通過最終V波段頻率合成器的相噪要求，反推到取樣鎖相頻率合成器和S波段頻率合成器這兩個模塊，并計算出各個模塊相位噪聲的最低要求，再對各個模塊