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文檔簡介
1、傳統(tǒng)的光學(xué)光刻由于受光波波長和數(shù)值孔徑等因素的限制,難于制作線寬小于100nm的圖案。納米壓印是通過壓印使抗蝕劑薄膜產(chǎn)生物理變形以實現(xiàn)光刻膠的圖形化,因此其分辨率不受光的衍射和散射等因素的限制,可突破傳統(tǒng)光刻工藝的分辨率極限。此外,它可以大批量重復(fù)地在大面積上制備納米圖形結(jié)構(gòu)。因此,納米壓印是一種低制作成本和高生產(chǎn)效率的獲得100nm以下圖案較好的下一代方法,可廣泛用于制作納米圖案和MEMS器件。本文的主要研究內(nèi)容和創(chuàng)新如下:
2、研究了納米壓印光刻膠的微流變力學(xué)性能,建立了納米壓印過程中壓印力、壓印速度和壓印時間等工藝參數(shù)的數(shù)學(xué)模型,并用有限元方法對納米壓印過程進(jìn)行了模擬仿真。這對深入理解納米壓印機理,優(yōu)化壓印工藝參數(shù)和模板設(shè)計以獲得高保真度的納米壓印圖形具有重要意義。 分析了納米壓印對準(zhǔn)運動,研究了基于莫爾技術(shù)和圖像匹配的定位對準(zhǔn)系統(tǒng)以及基于柔性元件的承片臺姿態(tài)調(diào)整機構(gòu),研制了具有寬工作范圍和高對準(zhǔn)精度的納米壓印樣機。該樣機在150mm×150mm行程
3、范圍內(nèi)的對準(zhǔn)精度優(yōu)于20nm,能夠進(jìn)行分步式壓印和多層壓印,滿足4英寸硅片壓印和三維納米結(jié)構(gòu)的制作要求。 利用此樣機,進(jìn)行了納米光柵、微透鏡陣列等微光學(xué)元件的壓印試驗研究,探討了溫度、壓力、膜厚等工藝參數(shù)對保真度的影響,得出了壓印溫度、壓力控制曲線,獲得了高保真度的壓印樣品。 將納米壓印應(yīng)用于制備具有雙微觀結(jié)構(gòu)的MEMS仿生功能表面。提出將“荷葉效應(yīng)”應(yīng)用于MEMS器件防粘減摩,并應(yīng)用微摩擦學(xué)和分子動力學(xué)等理論研究了“荷
4、葉效應(yīng)”在MEMS器件防粘減摩中的作用機理,為MEMS功能表面改形和改性設(shè)計提供了一種新方法。 提出了使用納米壓印技術(shù)制備MEMS器件仿生功能表面的新方法,對塑料微流器件和硅基MEMS器件的仿生功能表面的制備進(jìn)行了試驗研究,并對制備的仿生功能表面進(jìn)行了微摩擦性能測試。 本研究旨在為制備納米結(jié)構(gòu)和器件提供一種高分辨率、低成本和高生產(chǎn)率的新方法,為制備MEMS器件仿生功能表面以改善其微摩擦性能提供一種新思路,從而推動納米光學(xué)
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