脈沖激光制備硅基納米復(fù)合材料及其光電性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、硅是現(xiàn)代微電子行業(yè)的基礎(chǔ)材料，但它是一種間接帶隙的半導(dǎo)體材料，不能直接發(fā)光，這就大大限制了硅在高速光電子集成電路中的應(yīng)用。硅納米材料的出現(xiàn)，給人們帶來了硅直接發(fā)光的曙光。本文采用垂直脈沖激光沉積這一新方法，在常溫常壓下制備了硅納米粒子，在玻璃基底上沉積了硅納米薄膜，并用激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移法(LIFT)在硅基底上制備了硅納米薄膜。為提高硅納米粒子的發(fā)光穩(wěn)定性，在硅納米粒子表面接枝了苯環(huán)和聚醋酸乙烯酯分子，接枝產(chǎn)物的傅立葉紅外光譜(FTIR)及X

2、射線光電子能譜(XPS)證明苯環(huán)和聚醋酸乙烯酯分子被成功地接枝在硅納米粒子表面。此外還對(duì)硅納米粒子進(jìn)行了水熱處理，光致發(fā)光譜(PL)表明水熱處理的硅納米粒子發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)。SEM結(jié)果表明Ar氣氛中在玻璃基底上沉積的硅納米薄膜是由納米粒子聚集而成，空氣中激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移法在硅基底上制備的硅納米薄膜由超支化的鏈狀硅納米線(SiNWs)組成。高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)結(jié)果表明這些硅納米線的球體部分以硅納米晶為核，外層被硅氧化物包覆。硅納米

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