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1、半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,決定了測(cè)試技術(shù)需要不斷的提高與創(chuàng)新。傳統(tǒng)的四探針法表現(xiàn)出很多不足,這一現(xiàn)實(shí)決定了必須尋求其他方法以彌補(bǔ)這些不足。本文對(duì)渦流法用于半導(dǎo)體測(cè)試方面進(jìn)行了研究。
本次設(shè)計(jì)采用實(shí)驗(yàn)和計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬相結(jié)合的方法,對(duì)電渦流傳感器的性能進(jìn)行了計(jì)算機(jī)輔助分析。通過研究了激勵(lì)頻率,檢測(cè)距離以及線圈尺寸等參數(shù)對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,得到了600KHz的激勵(lì)頻率,0.05mm的檢測(cè)距離,3.3mm的線圈內(nèi)徑和5mm的外徑等線圈參數(shù);分析
2、了材料厚度與測(cè)量結(jié)果的關(guān)系,并得到電導(dǎo)率與線圈電壓實(shí)部和材料厚度的解析關(guān)系。
在處理方法上,本文提出了利用電壓有效值直接反映電壓實(shí)部變化的思想,替代了傳統(tǒng)的阻抗分析法,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其正確性。
最后設(shè)計(jì)了對(duì)渦流線圈電壓處理電路,用單片機(jī)PIC16F877A實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的處理和顯示。開發(fā)出實(shí)驗(yàn)樣機(jī),利用數(shù)碼管顯示出被測(cè)材料的電阻率。通過對(duì)不同電阻率的一組Si材料進(jìn)行了實(shí)際測(cè)量,表明本次設(shè)計(jì)得到的實(shí)驗(yàn)樣機(jī),適合厚度為0.
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