AlInGaN-GaN HFET結(jié)構(gòu)材料設(shè)計與生長技術(shù)研究.pdf

1、AlInGaN四元合金具有獨立控制禁帶寬度(能帶)和晶格常數(shù)(應(yīng)變)的特性，利用這一特性可將異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)變工程和能帶工程發(fā)揮到最佳，從而實現(xiàn)性能更為出色的異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和微波功率器件。因此，AlInGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件成為當(dāng)前研究的前沿領(lǐng)域和熱點。
　　 本論文較早地在國內(nèi)開展了含In氮化物用于GaN基HFET結(jié)構(gòu)的理論和實驗研究。主要研究結(jié)果如下：
　　 1、系統(tǒng)地研究了AlInGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)能帶工程

2、和應(yīng)變工程的理論和設(shè)計方法，基于AlInGaN/GaN的材料物理模型，重點研究了晶格匹配、禁帶寬度匹配和極化強度匹配的AlInGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
　　 2、利用MOCVD生長技術(shù)，深入地研究了高質(zhì)量GaN外延層生長方法、InGaN和AlInGaN薄膜高溫生長方法。通過生長工藝參數(shù)的調(diào)整與優(yōu)化，獲得可用于生長AlInGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的高質(zhì)量AlInGaN薄膜。
　　 3、利用MOCVD生長獲得了AlGaN/