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文檔簡介
1、國內圖書分類號:TM21592工學碩士學位論文V^993613PI/Si02電子結構和擊穿機理研究碩士研究生:導師:申請學位級別:學科、專業(yè):所在單位:答辯日期:授予學位單位:梅金碩殷景華工學碩士材料物理與化學應用科學學院2006年3月哈爾濱理工大學竺量簍矍三奎蘭三莖竺耋莖竺竺圣TheResearchofElectronicStructureandBreakdownMechanismofPI/Si02AbstractAsakindoff
2、unetionaImaterialPIhasexcellentdieleetricityandgoodmechanicalpropertyetcunderhightemperature,andithasbeenappliedinthefieldsofspacefightandmicroelectroniesPIhybridedbynallo—particlesisthehotspotofrecentresearchanditscoron
3、aresistancelireiS500timesmorethanPI’S,andithasbeenappliedwidelyinthefrequencycontroltechnologysystemsButthebreakdownmechanismandthenano—particles’SfunctionsintheprocessofbreakdownareunknownThegeometricalandelectronicstru
4、ctureofPIandPFSi02aresimulatedusingMS30Thesimulationresultsindicatethatthegeometricalstructuresofmiddle行agmemofPI(n=2,3,4)areconsistentandusingstmctureofmiddlefragmentofIOWpolymertodescribethestructureofhigIlpolymeriSfea
5、sibleThebondordersamongatomsofPIaregainedbyMullikenmethod,andthebondorderofC(7)O(8)isstronger,thebondordersofO(I)C(2),C(5)一N(6),N(6)一C(7)andC(7)一C(9)areinferiortoothersNanoparticlesofSi02foITllthehydrogenbondwithearbonyl
6、ofPI,whichchangesthegeometricalandelectronicstructureofPIbutthebondorderchangesalittleThefilmsofPI/Si02andPI,whichproducedbyourselves,aremadetobreakdownunderhighelectricfieldandthesurfacedefeatureoffilmsandthemicrostruct
7、ureoftheshotholearestudiedusingSEMThetestingresultsshowtllatthebreakdownfieldstrengthofPI/Si02andPIareI958KV/ramand18182KV/mmrespectivelyandnanohybridizationimprovestheelectricityresistancecharacterofthePIfilmThefilmofP[
8、/Si02iSdestroyedontheedgeoftheshothole;thereareaIotofsmallholesanddischargetraceneartheshotholeAndalargerangeofthesurfaceneartheshotholeofPIisprotuberantandthebadlydestroyedfiledspreadsabout1001tinfarawayfromtheshothole1
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