單晶硅材料動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn)系統(tǒng)的建立及試驗(yàn)研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩60頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、單晶硅材料是當(dāng)代電子工業(yè)中應(yīng)用最多的半導(dǎo)體材料,它在航空航天、光學(xué)、電子和微電子等領(lǐng)域發(fā)揮著十分重要的作用。但是在室溫下單晶硅材料是脆性材料,它的斷裂韌性很低,受到很小的載荷就有可能出現(xiàn)裂紋和發(fā)生斷裂,因此加工十分困難。隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)脆性材料進(jìn)行超精密車削和超精密磨削技術(shù)得到很大發(fā)展。由于壓痕試驗(yàn)與超精密加工過(guò)程非常相似,因此人們常常通過(guò)靜態(tài)壓痕試驗(yàn)來(lái)研究單晶硅材料的力學(xué)性能,分析其彈/塑轉(zhuǎn)變和裂紋生成的機(jī)理。但是在超精密加工過(guò)

2、程中單晶硅材料承受很高的應(yīng)變率,而在靜態(tài)壓痕試驗(yàn)中單晶硅材料承受的應(yīng)變率可以忽略,所以用靜態(tài)壓痕試驗(yàn)得出的結(jié)論來(lái)分析單晶硅材料的可加工性是不合適的。
  本文是國(guó)內(nèi)首次根據(jù)靜態(tài)壓痕試驗(yàn)理論和SHPB理論設(shè)計(jì)和建立了一套動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn)系統(tǒng),它由動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn)裝置、應(yīng)變測(cè)量電路、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)組成。這套系統(tǒng)可以用來(lái)對(duì)材料進(jìn)行動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn),獲得材料的動(dòng)態(tài)力學(xué)參數(shù),也可以獲得材料的動(dòng)態(tài)應(yīng)力-應(yīng)變曲線,從而分析材料的動(dòng)態(tài)塑性性能。其次通過(guò)對(duì)單晶硅

3、材料粗糙表面和光滑表面分別進(jìn)行動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn)和靜態(tài)壓痕試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)單晶硅材料粗糙表面的硬度值小于光滑表面的硬度值,單晶硅材料在動(dòng)態(tài)加載條件下的硬度值小于靜態(tài)加載條件下的硬度值。然后通過(guò)SEM觀察單晶硅試件表面壓痕形貌,發(fā)現(xiàn)粗糙表面比光滑表面容易生成大裂紋,在相同載荷作用下單晶硅材料在動(dòng)態(tài)壓痕試驗(yàn)得到的裂紋要大于在靜態(tài)壓痕試驗(yàn)得到的裂紋,表明在動(dòng)態(tài)加載條件下單晶硅材料更容易生成裂紋和破碎。從試驗(yàn)中可以看出單晶硅材料表面光滑程度和材料所受的應(yīng)變

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論