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文檔簡介
1、近年來,由于具有特殊的不同于體相的光學、電子、催化等性質和潛在的應用前景,貴金屬和半導體納米材料的制備、組裝和結構與性能的研究正得到越來越廣泛的關注。Langmuir單層膜技術是一種非常有效的制備和組裝納米粒子的手段。本文以功能性兩親分子形成的Langmuir單層膜作模板,在氣/液界面上通過界面反應,一步制備得到了多種納米結構,并用透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)、選擇區(qū)域電子衍射(SAED)和紫外一可見光譜
2、等對其結構和性質進行了深入研究,探討了這些納米結構形成的機制。 一、聚乙烯基咔唑(PVK)-Ag復合納米管和納米網狀結構的制備。在空氣/AgNO<,3>水溶液界面上通過鋪展PVK并用紫外光照射界面使Ag<'+>還原而形成了PVK-Ag復合納米管和納米網。形成的納米管一端封口,另一端開口,直徑和管壁的厚度分別為大約100和10-20納米,而長度則超過10微米。管壁上嵌入的銀納米粒子的平均粒度為3.5納米。這種復合納米管是鋪展在界面
3、上的PVK分子形成的圓盤狀結構進一步自組裝的結果。形成的納米網具有大小均勻、排列規(guī)則的圓形網孔,而且網孔內嵌有Ag納米粒子。決定納米管和納米網形成的主要因素是溫度,其次是亞相金屬離子與PVK分子中咔唑基的配位作用。據我們所知,這是第一次在氣/液界面上通過自組裝方式成功制備聚合物復合納米管。 二、在氣/液界面上銀納米環(huán)和銀納米粒子環(huán)形結構的制備。以PVK在界面上形成的超分子體系作模板,通過界面還原反應,在不同溫度下得到了六邊形和圓
4、形的銀納米環(huán)以及銀納米粒子組成的環(huán)形陣列。結果表明,較高溫度下,PVK形成環(huán)形結構,還原生成的較小的銀納米晶吸附在這些環(huán)形結構上形成了Ag納米環(huán)。而亞相溫度較低時,PVK形成較厚的圓形片,紫外光無法穿透之,故在圓形片的周圍形成了由較小的納米粒子連接而成的陣列。 三、氣/液界面和固/液界面上Ag多邊形納米片的制備。在氣/液界面上鋪展PVK分子,在較高亞相溫度下,借助紫外光照射,使銀離子還原。借助于以Formvar為支持膜的銅網轉移
5、后觀察,發(fā)現形成了多邊形微米級的單晶納米片;而用噴碳銅剛時,則形成的單晶納米片更為規(guī)則,大小達十數微米,且隨實驗溫度而變化。研究表明,前者納米片的形成是紫外光照射還原的結果,而后者則很可能固體基底,即銅網參與了反應,因為碳為良導體。同時還將花生酸等典型的雙親分子鋪展在AgNO<,3>水溶液表面上,紫外光照后取樣觀察,發(fā)現不同的銅網給出的結果不同。用噴碳銅網時,在室溫下即可得到Ag的三角形等形狀的單晶納米片,顯然這與銅參與反應有關。但是卻
6、明顯小于用PVK時所制得的納米片,說明界面上的單層膜對納米片的形成也有影響。當界面上不鋪展雙親分子時也可以得到Ag納米片,這進一步說明了銅網參與了反應,但納米片不規(guī)則。實驗結果證實,各種條件下生成的納米片均以銀晶體的(111)面與界面平行。以上三方面的研究均以PVK-Ag<'+>體系為對象,但是得到了不同的結果,這主要是由于PVK在氣/液界面上的分散形態(tài)不同所致。納米管和納米網是PVK分子自組裝的結果;Ag的納米環(huán)和納米粒子形成的圓環(huán)形
7、的陣列則是利用了PVK的自組織結構為模板:而Ag單晶多邊形納米片的形成則是與Ag的成核和生長有關。PVK分子除了自組織成各種結構外,在界面上,尤其在溫度較高時,會形成小的聚集體甚至以單個分子分散存在。當銀粒子在其上成核生長時,由于沒有足夠的PVK對其施加影響,則Ag以其固有的結晶特性生長。由于(111)面表面自由能最低,故形成了以該面為基面的納米片。 四、PVK單層膜下PbS納米粒子的制備。以PbCl<,2>水溶液作為亞相,在氣
8、/液界面上通過Pb<'2+>和H<,2>S氣體在PVK單層膜下的界面反應合成了不同形貌的PbS納米粒子,包括納米錐、納米片、納米棒等。發(fā)現所有的PbS納米粒子均是面心立方(fcc)晶體結構。20℃時形成的是三角形納米錐,其(111)晶面與界面平行;而在30℃時形成的是正方形納米片和納米棒,其(001)晶面與界面平行。推斷,納米錐的形成應歸因于PVK單層膜中氮原子組成的二維陣列與PbS晶體(111)面的晶格匹配。而納米片和納米棒的形成原因
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