屏蔽電子系統(tǒng)抗靜電放電輻射場研究.pdf

1、隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展，大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的大量運(yùn)用，電子器件都向著高速、高集成、微功耗方向發(fā)展，這樣便使得集成電路內(nèi)的絕緣層變得越來越薄，連線與連線之間的距離變得越來越短，大大的降低了電子器件敏感度。靜電放電是一個(gè)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生高電壓、強(qiáng)電場、瞬時(shí)大電流脈沖的過程，它能夠以傳導(dǎo)和輻射的方式對(duì)電子設(shè)備造成干擾，因而靜電放電對(duì)電子設(shè)備的影響變得越來越嚴(yán)重，靜電放電防護(hù)問題也越來越被人們所關(guān)注。 本文從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面著手，分析討

2、論了靜電放電與電子設(shè)備屏蔽體的能量耦合情況，確定了靜電放電相關(guān)特征參數(shù)之間的關(guān)系。 在理論方面，采用了現(xiàn)今應(yīng)用比較普遍的時(shí)域有限差分法，論文首先對(duì)時(shí)域有限差分法的基本原理進(jìn)行了介紹；然后利用時(shí)域有限差分法，以MatLab為工具，對(duì)電子系統(tǒng)屏蔽體進(jìn)行仿真建模，從理論上分析討論了靜電放電與電子系統(tǒng)屏蔽體的能量耦合情況，得出了耦合場與靜電放電電壓之間的關(guān)系以及在電子系統(tǒng)屏蔽體上不同位置處耦合場的變化情況；最后通過實(shí)驗(yàn)的方法，分析討論了