基于SOCS的光學光刻系統(tǒng)仿真算法的研究.pdf

1、從0.18μm技術節(jié)點開始，半導體制造工藝中便廣泛采用了“亞波長光刻”技術。在亞波長光刻下，由于光刻和掩模制造過程中的光的衍射及其他物理、化學現(xiàn)象，光刻后硅片表面成像將產(chǎn)生明顯的畸變。版圖圖形轉移過程中的失真，將會影響到產(chǎn)品的性能參數(shù)，降低集成電路的成品率。為了消除這些負面的影響，半導體業(yè)界提出并廣泛采用分辨率增強技術(RET)作為應對。RET的采用能夠在一定程度上解決亞波長光刻中的失真問題，而相關EDA算法工具的開發(fā)應用是解決問題的關

2、鍵所在。 無論何種分辨率增強技術，都需要有快速、精確、有效的光刻系統(tǒng)模型和相應的算法的支持。掩模補償技術是目前分辨增強技術的主要形式，利用光刻系統(tǒng)模型，可以預測實際光刻條件下掩模在硅片表面所成的圖像，從而做出正確的掩模預補償。 本文主要圍繞光刻系統(tǒng)模型的結構和相關算法以及具體實現(xiàn)等問題展開。本文介紹了集成電路制造和光刻工藝的基本流程及相關理論。針對光刻模型的光學成像系統(tǒng)，本文介紹了基本的基于Hopkins公式的曝光系統(tǒng)模