集成電路制造過程中光刻系統(tǒng)仿真的多邊形處理算法研究.pdf

1、在過去的五十多年間，微電子技術(shù)尤其是集成電路領(lǐng)域的高速發(fā)展對電路性能的要求日益增長。作為集成電路制造中的核心技術(shù)，光刻工藝的飛速發(fā)展成功地使集成電路尺寸從微米級進(jìn)入了納米級，這使得集成電路的規(guī)模和復(fù)雜程度越來越高。近幾年間，半導(dǎo)體主流制造技術(shù)從90nm，65nm轉(zhuǎn)移到40nm、28nm及以下，這意味著更小的特征尺寸(CD，criticaldimension)需要更先進(jìn)的制造工藝以及更精確的制造流程，來提高集成電路的性能，降低功耗，此時(shí)，

2、在晶圓表面制造出來的圖形會發(fā)生明顯的畸變現(xiàn)象，隨即產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)(OPE，OpticalProximityEffect)，從而影響集成電路的制造成品率。
　　為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，在工業(yè)領(lǐng)域提出了分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET,ResolutionEnhancementTechnology)，以減少光學(xué)鄰近效應(yīng)對集成電路制造的影響，使在現(xiàn)有生產(chǎn)環(huán)境下，能夠盡可能制造出特征尺寸更小的集成電路來。不管應(yīng)用何種技術(shù)，均需要精確預(yù)測出在光刻條件下，通

3、過對掩模圖形進(jìn)行照射呈現(xiàn)在晶圓表面的圖形。
　　本文在深入探討集成電路制造流程基礎(chǔ)上，提出了基于部分相干理論的光刻建模的多邊形處理算法，將掩模上的多邊形圖案進(jìn)行切分優(yōu)化，將其劃分成若干矩形或三角形。并在Linux環(huán)境下應(yīng)用C語言設(shè)計(jì)出一個(gè)完整的光刻仿真系統(tǒng)，在此系統(tǒng)中，設(shè)計(jì)的具體光學(xué)參數(shù)為:光源波長為193nm，數(shù)值孔徑在0.3-0.8之間，部分相干系數(shù)可調(diào)范圍為0.2-0.8之間，可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范