以Re-,2-O-,3--Ag復(fù)合材料為基底制備YBaCuO超導(dǎo)厚膜的研究.pdf

1、金屬Ag是超導(dǎo)領(lǐng)域常用的基底或包套材料。由于YBaCuO的熔點(diǎn)(1010℃)高于銀基帶的熔點(diǎn)(961℃)，因此在采用熔化法處理銀基底YBaCuO帶材時(shí)，需要提高銀基帶的熔點(diǎn)或降低YBaCuO的熔點(diǎn)。為了解決該問題，本文通過摻雜高熔點(diǎn)稀土氧化物提高銀基帶的熔點(diǎn)，在熔化法織構(gòu)生長(zhǎng)工藝中使用低氧分壓降低YBaCuO的熔點(diǎn)，并在YBaCuO厚膜頂部添加籽晶使YBaCuO晶體擇優(yōu)取向。另外利用Ag在高溫下不與YBaCuO超導(dǎo)體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的特性，

2、在Ni及Ni-Cr合金表面氰化鍍銀，使Ag作為Ni合金基底與YBaCuO之間的隔離層，防止Ni或Cr向YBaCuO中擴(kuò)散，影響YBaCuO的超導(dǎo)電性。 文中選擇高熔點(diǎn)的Nd<,2>O<,3>，Y<,2>O<,3>兩種稀土氧化物作為添加劑，通過化學(xué)共沉積的方法制備了Re<,2>O<,3>/Ag基復(fù)合粉末。結(jié)果表明，Re<,2>O<,3>/Ag基復(fù)合材料的熔化溫度隨著Re<,2>O<,3>含量的增加而升高，4wt％Y<,2>O<,3

3、>/Ag樣品的熔化溫度達(dá)到了970℃，而4wt％Nd<,2>O<,3>/Ag樣品的熔化溫度較低為960℃左右。樣品條在熔化溫度附近均未發(fā)生大的變形，顯著地提高了Ag基底在高溫下的抗變形能力?？梢詽M足在低氧分壓條件下熔融織構(gòu)和定向凝固YBaCuO等工藝對(duì)基底材料的需求。 Ar氣氛中YBaCuO的熔化溫度為940℃，在以Rc<,2>O<,3>/Ag基復(fù)合材料為基底的低氧分壓熔融織構(gòu)和區(qū)域熔煉YBaCuO過程中，基底材料較好的保持了原

4、有的形貌，但仍有部分銀的析出。所得熔融織構(gòu)樣品的最大J<,c>=128A/cm<'2>，區(qū)熔樣品表面可觀察到片狀的織構(gòu)，樣品的最大J<,c>=52A/cm<'2>。 在以Ni及其Ni-Cr合金表面氰化鍍銀材料為基底電泳沉積了YbaCuO厚膜。以最快沉積速度為基準(zhǔn)，確定電泳沉積最佳工藝條件為YBaCuO粉末濃度3g/l，碘0.3g/l，外加直流電壓應(yīng)為110V，沉積完成時(shí)間一般為5～10min。沉積速度隨著粉末濃度和碘加入量的增加