鋁合金中TiB-,2-、TiC界面過渡區(qū)(相)的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩155頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用電子探針顯微分析儀(EPMA)、X射線衍射儀(XRD)、差示掃描量熱儀(DSC)、光學(xué)顯微鏡(OM)及透射電鏡(TEM)等測(cè)試手段對(duì)TiB<,2>、TiC等鈦化物在鋁及其合金熔體中的行為及其形核機(jī)制進(jìn)行了研究探討。 研究發(fā)現(xiàn):TiB<,2>、TiC等鈦化物引入鋁熔體后都存在明顯的沉淀現(xiàn)象,且實(shí)際沉淀速度比理論的快得多;微量TiB<,2>、TiC等鈦化物的加入,能引起鋁熔體粘度的突變現(xiàn)象,且粘度與細(xì)化效果有一定的對(duì)應(yīng)關(guān)系,

2、熔體的粘度值越大,凝固后α-Al的晶粒尺寸越細(xì)小均勻。這表明在某種程度上粘度可以作為鋁熔體凝固組織晶粒度的判據(jù),為生產(chǎn)中由熔體狀態(tài)直接監(jiān)控其最終細(xì)化效果提供了可能;此外,ZiB2粒子的加入能導(dǎo)致過冷度△T的顯著減小。分析認(rèn)為,以上現(xiàn)象與TiB<,2>、TiC等鈦化物引入后鋁熔體結(jié)構(gòu)的改變有關(guān)。 TEM分析發(fā)現(xiàn),快速凝固試樣中α-Al晶粒核心處的TiB<,2>或TiC顆粒周圍都存在一個(gè)富Ti過渡區(qū)。由于快速凝固能將瞬時(shí)的熔體結(jié)構(gòu)部

3、分保留下來,因此固態(tài)下的富Ti過渡區(qū)應(yīng)由液態(tài)下的TiB<,2>或TiC界面富Ti過渡區(qū)演化而來,由此本文提出了“TiB<,2>、TiC界面富Ti過渡區(qū)”的形核機(jī)制,并利用該機(jī)制解釋了細(xì)化過程中的粘度突變、“中毒”等重要現(xiàn)象。 基于“TiB<,2>、TiC界面富Ti過渡區(qū)”機(jī)制及Al-Ti-B中間合金細(xì)化效果的組織遺傳效應(yīng),本文改進(jìn)了有效遺傳因子數(shù)的數(shù)學(xué)表達(dá)式:N<,h><,有效>=δ<,n[TiB2]>N<'h><,TiB2>或

4、N<,h><,有效>=K(e<'1-δh[TIA13]>)-1)N<'h><,TiB2>。據(jù)此,可在細(xì)化之前,根據(jù)Al-Ti-B中間合金中TiB<,2>粒子的數(shù)量與分布及TiAl<,3>的形態(tài)和尺寸,估算出其有效遺傳因子數(shù),作為評(píng)價(jià)A1-Ti-B中間合金細(xì)化效果的重要依據(jù)。 鋁熔體中Si、Mg、Cu的存在對(duì)TiC界面富Ti過渡區(qū)產(chǎn)生了不同程度的影響:Si與TiC反應(yīng)生成了Al<,4>C<,3>或SiC,它們包裹在TiC顆粒周圍或

5、者使TiC完全消失;TiAl<,3>與Si反應(yīng)生成了TiAl<,2.x>Si<,0.4>三元化合物,使熔體中缺乏活性的Ti原子,導(dǎo)致TiC界面上無法形成富Ti過渡區(qū),甚至使已有的也遭到破壞,因此出現(xiàn)了嚴(yán)重的細(xì)化衰退;Mg存在時(shí),’I'iC和’FiAl3的熱穩(wěn)定性與在純鋁中相似,保溫時(shí)間延長時(shí),少量的TiC與Al反應(yīng)生成了Al<,4>C<,3>,使部分的TiC界面富Ti過渡區(qū)遭到破壞,故出現(xiàn)了輕微的細(xì)化衰退;而Cu的存在使得TiC較穩(wěn)定,

6、而TiAl<,3>則與合金中的Cu反應(yīng)生成一種新的Ti-Al-Cu相,近似為Ti(Al,Cu)2,從而無法提供足量的Ti原子來形成大量的TiC界面富Ti過渡區(qū),因此也造成了一定的細(xì)化衰退。這表明Tic的不穩(wěn)定或熔體中無法形成大量的活性Ti都能導(dǎo)致細(xì)化衰退,要得到好的細(xì)化效果二者缺一不可。 Al-P中間合金變質(zhì)后的共晶Al-Si合金中,只加入0.2﹪Al-5Ti-1B或Al-8Ti-2C時(shí)就能使初晶硅的尺寸由40μm左右減小到20gm左右

7、。EPMA分析發(fā)現(xiàn),當(dāng)熔體中添加了TiB<,2>顆粒時(shí),初晶硅的核心既有AlP又有TiB<,2>顆粒,且AlP作為過渡相分布于TiB<,2>顆粒周圍;而添加TiC顆粒時(shí),由于其不穩(wěn)定性與Al發(fā)生反應(yīng)生成了大量的Al<,4>C<,3>,故初晶硅的核心處除了.AlP還有Al<,4>C<,3>顆粒。 由Tumbull-Vonnegut公式計(jì)算可得TiB<,2>的(112)晶面和AlP的(442)晶面的失配度約為7.27﹪,而.Al<,

8、4>C<,3>的(110)晶面和.AlP的(311)晶面的失配度約為5﹪,屬于完全共格界面,故TiB<,2>、Al<,4>C<,3>是AlP良好的結(jié)晶襯底,AlP極易向其偏聚,并通過如下類包晶耦合反應(yīng)生成由中心的TiB<,2>(或Al<,4>C<,3>)顆粒及其界面處的AlP過渡相構(gòu)成的耦合粒子:TiB<,2>(s)+AlP(1)→TiB<,2>·AlP(s),Al<,4>C<,3>(s)+AlP(1)→Al<,4>C<,3>·.AlP

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論