聚偏氟乙烯及其共聚物壓電薄膜的改性結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、本文綜合運(yùn)用紅外光譜分析、X射線衍射、示差掃描量熱分析、介電性能分析等測(cè)試手段，研究經(jīng)電子束輻照、輻照后再結(jié)晶、Ni/PVDF共混三種改性處理后的聚偏氟乙烯及其共聚薄膜內(nèi)部分子鏈構(gòu)型、化學(xué)鍵合方式、晶型晶態(tài)以及引入的缺陷等微觀結(jié)構(gòu)的變化；分析、確立微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理性能間的內(nèi)在聯(lián)系和變化規(guī)律。解釋對(duì)應(yīng)于一定劑量輻照后產(chǎn)生的，具有高電滯伸縮性能的“類順電相”結(jié)構(gòu)的分子鏈構(gòu)型、晶態(tài)晶型等微觀結(jié)構(gòu)；探討再結(jié)晶處理能否為開發(fā)新的改性方法提供有價(jià)

2、值的參考；解釋Ni/PVDF復(fù)合材料介電常數(shù)提高的可能原因。為進(jìn)一步研究聚偏氟乙烯電子輻照的改性機(jī)理、開發(fā)新的有價(jià)值的改性方法、并開拓其在電介質(zhì)材料系統(tǒng)中的應(yīng)用提供參考。 經(jīng)研究認(rèn)為，具有高電滯伸縮性能的“類順電相”對(duì)應(yīng)于一定劑量輻照下出現(xiàn)的TG構(gòu)型分子鏈配置成δ晶型的結(jié)構(gòu)，此時(shí)聚合物中含量最多的弱極性構(gòu)型T3G鏈段配置的γ型晶區(qū)與新的TG鏈段配置的δ型晶區(qū)共同形成極性網(wǎng)絡(luò)，并在外電場(chǎng)刺激下表現(xiàn)出協(xié)同效應(yīng)，從而提高電致伸縮性能。